Oxyde de gallium(I)

Oxyde de gallium(I)
Identification
Nom systématique oxyde de gallium(I)
Synonymes

suboxyde de gallium

No CAS 12024-20-3
PubChem 16702109
SMILES
InChI
Apparence solide brun-noir[1]
Propriétés chimiques
Formule Ga2O
Masse molaire[2] 155,445 ± 0,002 g/mol
Ga 89,71 %, O 10,29 %,
Propriétés physiques
T° fusion > 660 °C[1] (décomposition)
Solubilité réagit avec l'eau[3]
Masse volumique 4,77 g/cm3[4]
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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L’oxyde de gallium(I) est un composé chimique de formule Ga2O. Il s'agit d'un solide brun-noir diamagnétique stable au contact de l'air sec. Il se sublime à 660 °C dans un flux de gaz inerte sous une pression de 1 bar, et à partir de 500 °C dans un vide poussé, où il se décompose en gallium et oxyde de gallium(III) Ga2O3 à partir de 700 °C[1].

L'oxyde de gallium(I) peut être obtenu en faisant réagir de l'oxyde de gallium(III) avec du gallium chauffé sous vide[1] :

Ga2O3 + 4 Ga ⟶ 3 Ga2O.

Il peut également être obtenu en faisant réagir du gallium avec du dioxyde de carbone CO2 à basse pression et à 850 °C[5] :

2 Ga + CO2 ⟶ Ga2O + CO.

Il se forme également lors de la fabrication de wafers d'arséniure de gallium par réaction du gallium avec le dioxyde de silicium des parois en verre de quartz[6],[7] :

4 Ga + SiO2 ⟶ 2 Ga2O + Si.

Notes et références

  1. ↑ a b c et d (de) Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, 3e  éd. révisée, vol. 1, Ferdinand Enke, Stuttgart, 1975, p. 857. (ISBN 3-432-02328-6)
  2. ↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. ↑ (en) Jane E. Macintyre, Dictionary of Inorganic Compounds, CRC Press, 1992, p. 3305. (ISBN 0-412-30120-2)
  4. ↑ (en) William M. Haynes, CRC Handbook of Chemistry and Physics, 92e éd., CRC Press, 2011, p. 4.67. (ISBN 1-4398-5511-0)
  5. ↑ (en) N. N. Greenwood, « The Chemistry of Gallium », H. J. Emeléus et A. G. Sharpe, Advances in inorganic chemistry and radiochemistry, vol. 5, Academic Press, New York, 1963, p. 91-134, ici p. 94. (ISBN 0-08-057854-3)
  6. ↑ (en) Paul Siffert et Eberhard Krimmel, Silicon: Evolution and Future of a Technology, Springer, 2004, p. 439. (ISBN 3-540-40546-1)
  7. ↑ (en) L.-J. Chou, Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD), The Electrochemical Society, 2007, p. 47. (ISBN 1-56677-574-4)
v · m
Ga(I)
Ga(II)
Ga(III)
Organogallium(III)