Triéthylgallium

Triéthylgallium
Image illustrative de l’article Triéthylgallium
Structure du triéthylgallium
Identification
Nom UICPA Triéthylgallane
No CAS 1115-99-7
No ECHA 100.012.939
No CE 214-232-7
PubChem 66198
SMILES
InChI
Propriétés chimiques
Formule C6H15Ga
Masse molaire[1] 156,906 ± 0,007 g/mol
C 45,93 %, H 9,64 %, Ga 44,44 %,
Propriétés physiques
T° fusion −82 °C[2]
T° ébullition 109 °C[2] à 40 kPa
Masse volumique 1,067 g·cm-3[2] à 25 °C
Pression de vapeur saturante 2,1 kPa[2] à 43 °C
Précautions
SGH[2]
SGH02 : InflammableSGH05 : Corrosif
Danger
H250, H260, H314, P210, P280, P231+P232, P305+P351+P338, P370+P378 et P422
Transport[2]
-
   3394   
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Le triéthylgallium, ou TEGa, est un composé chimique de formule (CH3CH2)3Ga, souvent écrite Ga(C2H5)3. C'est un composé organométallique de gallium utilisé par l'industrie des semiconducteurs à travers les techniques de MOCVD en remplacement du triméthylgallium Ga(CH3)3 car il laisse moins d'impuretés carbonées dans les couches épitaxiées[3]. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore visqueux et pyrophorique[4] à l'odeur douceâtre qui se décompose au contact de l'eau. Ses molécules existent sous forme de monomères en phase gazeuse et en solution dans le benzène et l'éther de pétrole.

Comme le triméthylgallium, il peut être obtenu à partir d'organomercuriels tels que le diéthylmercure Hg(CH2CH3)2.

2 Ga + 3 Hg(C2H5)2 ⟶ 2 Ga(C2H5)3 + 3 Hg.

Il peut également être préparé à partir du trichlorure de gallium GaCl3 par réaction avec du triéthylaluminium Al2(C2H5)6 et du chlorure de potassium KCl.

GaCl3 + 3 Al(C2H5)3 + 3 KCl ⟶ Ga(C2H5)3 + 3 K[(C2H5)2AlCl2].

Notes et références

  1. ↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. ↑ a b c d e et f Fiche Sigma-Aldrich du composé Triethylgallium, consultée le 24 novembre 2018.
  3. ↑ (en) A. Saxler, D. Walker, P. Kung, X. Zhang et M. Razeghi, « Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN », Applied Physics Letters, vol. 71, no 22,‎ , p. 3272-3274 (DOI 10.1063/1.120310, Bibcode 1997ApPhL..71.3272S, lire en ligne)
  4. ↑ (en) Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette, Ronald L. DiCarlo Jr. et Gregory Dripps, « Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors », Journal of Crystal Growth, vol. 272, nos 1-4,‎ , p. 816-821 (DOI 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007, Bibcode 2004JCrGr.272..816S, lire en ligne)
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