H220 : Gaz extrêmement inflammable H280 : Contient un gaz sous pression ; peut exploser sous l'effet de la chaleur P210 : Tenir à l’écart de la chaleur/des étincelles/des flammes nues/des surfaces chaudes. — Ne pas fumer. P377 : Fuite de gaz enflammé : Ne pas éteindre si la fuite ne peut pas être arrêtée sans danger. P381 : Éliminer toutes les sources d’ignition si cela est faisable sans danger. P403 : Stocker dans un endroit bien ventilé.
Code Kemler : 23 : gaz inflammable Numéro ONU : 2203 : SILANE COMPRIMÉ Classe : 2.1 Étiquette : 2.1 : Gaz inflammables (correspond aux groupes désignés par un F majuscule); Emballage : -
L'hydrogène étant plus électronégatif que le silicium (2,2 contre 1,9 sur l'échelle de Pauling), la polarisation de la liaisonSi–H est inverse de celle de la liaison C–H (l'électronégativité du carbone est de 2,55 sur l'échelle de Pauling). Cela a plusieurs conséquences, notamment la propension du silane à former des complexes avec les métaux de transition ou encore le fait qu'il s'enflamme spontanément dans l'air sans devoir être mis à feu (il est pyrophorique)[7]. Les données de combustion du silane sont cependant souvent contradictoires car le silane lui-même est plutôt stable tandis que sa pyrophoricité serait due essentiellement à des impuretés telles que la formation de silanes supérieurs au cours de sa production, par la présence de traces d'humidité et par les effets catalytiques de la surface des récipients qui le contiennent[8],[9].
En l'absence d'oxygène et d'humidité, le silane se décompose au-dessus de 400 °C en silicium et hydrogène[10], ce qui peut être mis à profit pour déposer des couches minces de silicium par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
La réduction du silane par un métal alcalin dissous dans un solvant donne le dérivé silylique alcalin correspondant. Selon le solvant, deux réactions concurrentes peuvent avoir lieu, par exemple la première réaction seule dans l'hexaméthylphosphoramide [(CH3)2N]3PO (HMPA) et les deux simultanément dans le diméthoxyéthane CH3OCH2CH2OCH3, par exemple ici avec du potassium donnant le silanure de potassium KSiH3[11] :
L'énergie de la liaisonSi–H vaut environ 384 kJ/mol, ce qui est environ 20 % moindre que celle de la liaison H–H dans la molécule d'hydrogène H2. Il s'ensuit que les composés qui contiennent de telles liaisons Si–H sont plus réactifs que H2. L'énergie de la liaison Si–H est peu affectée par la présence de substituants sur l'atome de silicium : elle vaut ainsi 419 kJ/mol pour le trifluorosilane SiHF3, 382 kJ/mol pour le trichlorosilane SiHCl3 et 398 kJ/mol pour le triméthylsilane SiH(CH3)3[12],[13].
On peut également le produire à partir de silicium métallurgique en deux étapes. Le silicium est tout d'abord traité au chlorure d'hydrogène à environ 300 °C pour produire du trichlorosilane SiHCl3 avec de l'hydrogène H2 :
Les catalyseurs les plus couramment utilisés dans ce procédé sont les halogénures de métaux, notamment le chlorure d'aluminium AlCl3. Il s'agit d'une redistribution, qui peut également être vue comme une dismutation bien que l'état d'oxydation du silicium ne varie pas (il vaut +4 aussi bien pour le silane, le trichlorosilane, que le tétrachlorure de silicium) ; cependant, le chlore étant plus électronégatif que l'hydrogène (3,16 contre 2,2 sur l'échelle de Pauling), l'atome de silicium de SiCl4 présente un état d'oxydation formel plus élevé que celui de SiH4.
Une méthode alternative de production concerne le silane de très grande pureté destiné à la production de silicium de qualité électronique pour l'industrie des semiconducteurs. Ce procédé utilise également du silicium métallurgique ainsi que de l'hydrogène et du tétrachlorure de silicium. Il fait intervenir une série de redistributions, avec des sous-produits qui sont recyclés dans les réactions et des distillations, que l'on peut résumer ainsi :
Les chimistes allemands Heinrich Buff et Friedrich Woehler découvrirent le silane en 1857 parmi d'autres produits formés en faisant réagir de l'acide chlorhydrique HCl sur du siliciure d'aluminium Al4Si3 ; ils nommèrent le composé hydrogène siliciuré[16].
Pour les démonstrations en classe, le silane peut être produit en chauffant un mélange de sable et de poudre de magnésium pour obtenir du siliciure de magnésium Mg2Si, qui peut ensuite être versé dans de l'acide chlorhydrique. Le siliciure de magnésium réagit avec l'acide pour produire du silane SiH4, lequel forme des bulles qui remontent à la surface et s'enflamment spontanément au contact de l'air par pyrophoricité en laissant entendre un crépitement de petites explosions[17]. On peut considérer cette réaction comme une réaction acido-basiquehétérogène dans la mesure où l'anion siliciure Si4− de la structure antifluorite de Mg2Si peut servir de base de Brønsted acceptant quatre protons.
D'une manière générale, les métaux alcalino-terreux forment des siliciures ayant les stœchiométries MII2Si, MIISi et MIISi2. Dans tous les cas, ces substances réagissent avec les acides de Brønsted pour produire des hydrures de silicium dont la nature dépend des liaisons de l'anion Si dans le siliciure. Il peut par exemple se former du silane SiH4, des silanes plus lourds de la série homologue de formule générale SinH2n+2, des hydrures de silicium polymériques, ou un acide silicique [SiOx(OH)4−2x]n. Ainsi, MIISi, qui contient une chaîne d'anions Si2− en zigzag sur laquelle chaque Si a deux doublet non liants susceptibles d'accepter des protons, donne l'hydrure polymérique (SiH2)x.
Enfin, une méthode de production de silane à petite échelle consiste à faire réagir un amalgame de sodium avec du dichlorosilane SiH2Cl2, ce qui donne, outre le silane, des hydrures de silicium polymérisés (SiH)x[16].
Le dépôt de silicium par PECVD est assez peu efficient puisqu'il n'utilise qu'environ 15 % du silane, le reste étant perdu. Diverses méthodes de recyclage ont été développées pour améliorer le rendement du procédé et réduire son empreinte environnementale[18],[19].
Sécurité
Le silane étant pyrophorique, les fuites de ce gaz s'enflamment spontanément, de sorte que de nombreux accidents mortels ont eu lieu dans des usines à la suite de feux et d'explosions[20],[21],[22]. La combustion du silane à faible concentration se déroulerait en deux temps, l'oxydation de l'hydrogène intervenant après la formation du dioxyde de silicium, dont la condensation accélérerait la formation d'eau sous l'effet d'une rétroaction thermique[23]. Le silane dilué dans des gaz inertes comme l'azote ou l'argon est encore davantage susceptible de s'enflammer dans l'air que le silane pur : même un mélange de 1 % de silane dans l'azote pur s'enflamme facilement[24]. La dilution du silane dans de l'hydrogène permet de réduire les risques industriels lors de la production de cellules solaires en silicium amorphe et présente également l'avantage de stabiliser les modules solaires photovoltaïques ainsi produits en limitant l'effet Staebler-Wronski (WSE)[25],[26].
↑ abcdefghijkl et mEntrée « Monosilane » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais), accès le 12 janvier 2021 (JavaScript nécessaire)
↑(en) David R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press Inc, , 90e éd., 2804 p., Relié (ISBN978-1-4200-9084-0)
↑(en) David R. Lide, Handbook of chemistry and physics, Boca Raton, CRC, , 89e éd., 2736 p. (ISBN978-1-4200-6679-1), p. 10-205
↑« Silane » dans la base de données de produits chimiques Reptox de la CSST (organisme québécois responsable de la sécurité et de la santé au travail)
↑(de) Wolfgang Legrum, Riechstoffe, zwischen Gestank und Duft, Vieweg + Teubner Verlag, 2011, p. 68–69. (ISBN978-3-8348-1245-2)
↑(en) H. J. Emeléus et K. Stewart, « 281. The oxidation of the silicon hydrides. Part I », Journal of the Chemical Society (Resumed), , p. 1182-1189 (DOI10.1039/JR9350001182, lire en ligne).
↑(en) Seiichiro Koda, « Kinetic aspects of oxidation and combustion of silane and related compounds », Progress in Energy and Combustion Science, vol. 18, no 6, , p. 513-528 (DOI10.1016/0360-1285(92)90037-2, lire en ligne).
↑(en) Peter L. Timms, « The chemistry of volatile waste from silicon wafer processing », Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, no 6, , p. 815-822 (DOI10.1039/A806743K, lire en ligne).
↑(en) T. R. Hogness, Thomas L. Wilson et Warren C. Johnson, « The Thermal Decomposition of Silane », Journal of the American Chemical Society, vol. 58, no 1, , p. 108-112 (DOI10.1021/ja01292a036, lire en ligne)
↑(en) [PDF] Barry Arkles, « Silanes », p. 39, réimpression de Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, 4e édition, vol. 22, John Wiley & Sons, 1997, p. 38-69. (ISBN0-471-52691-6)
↑(en) M. A. Brook, Silicon in Organic, Organometallic, and Polymer Chemistry, 2000, J. Wiley. (ISBN0-471-19658-4).
↑(en) M. A. Kreiger, D. R. Shonnard et J. M. Pearce, « Life cycle analysis of silane recycling in amorphous silicon-based solar photovoltaic manufacturing », Resources, Conservation and Recycling, vol. 70, , p. 44-49 (DOI10.1016/j.resconrec.2012.10.002, lire en ligne [PDF]).
↑(en) Jenq Renn Chen, « Characteristics of fire and explosion in semiconductor fabrication processes », Process Safety Progress, vol. 21, no 1, , p. 19-25 (DOI10.1002/prs.680210106, lire en ligne).
↑(en) Jenq‐Renn Chen, Hsiao‐Yun Tsai, Shang‐Kay Chen, Huan‐Ren Pan, Shuai‐Ching Hu, Chun‐Cheng Shen, Chia‐Ming Kuan, Yu‐Chen Lee et Chih‐Chin Wu, « Analysis of a silane explosion in a photovoltaic fabrication plant », Process Safety Progress, vol. 25, no 3, , p. 237-244 (DOI10.1002/prs.10136, lire en ligne).
↑(en) Yo‐Yu Chang, Deng‐Jr Peng, Hong‐Chun Wu, Charng‐Cheng Tsaur, Chun‐Cheng Shen, Hsiao‐Yun Tsai et Jenq‐Renn Chen, « Revisiting of a silane explosion in a photovoltaic fabrication plant », Process Safety Progress, vol. 26, no 2, , p. 155-158 (DOI10.1002/prs.10194, lire en ligne).
↑(en) V. I. Babushok, W. Tsang, D. R. Burgess Jr. et M. R. Zachariah, « Numerical study of low- and high-temperature silane combustion », Symposium (International) on Combustion, vol. 27, no 2, , p. 2431-2439 (DOI10.1016/S0082-0784(98)80095-7, lire en ligne).
↑(en) Shigeo Kondo, Kazuaki Tokuhashi, Hidekazu Nagai, Masaji Iwasaka et Masahiro Kaise, « Spontaneous ignition limits of silane and phosphine », Combustion and Flame, vol. 101, nos 1-2, , p. 170-174 (DOI10.1016/0010-2180(94)00175-R, lire en ligne).
↑(en) Christopher J.Petti, Mohamed M. Hilali et Gopalkrishna Prabhu, « 10 - Thin Films in Photovoltaics », Handbook of Thin Film Deposition (Third Edition), , p. 313-359 (DOI10.1016/B978-1-4377-7873-1.00010-3, lire en ligne).
↑(en) Wilfried G. J. H. M. Van Sark, « Methods of Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon for Device Applications », Thin Films and Nanostructures, vol. 30, , p. 1-215 (DOI10.1016/S1079-4050(02)80004-7, lire en ligne).