Pengendapan uap kimia (bahasa Inggris: chemical vapor deposition, CVD) adalah proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan microsystem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi di permukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. CVD merupakan metode pengendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas dan berkinerja tinggi. Proses ini sering digunakan dalam industri semikonduktor untuk menghasilkan film tipis.[1]
Pada CVD, wafer (substrat) akan terpapar pada satu atau lebih prekursor yang mudah menguap, yang bereaksi dan/atau terurai pada permukaan substrat untuk menghasilkan endapan yang diinginkan. Sering kali, produk sampingan yang mudah menguap juga diproduksi, yang kemudian dihilangkan oleh aliran gas melalui ruang reaksi.
CVD Tekanan Rendah (LPCVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer.[2] Pengurangan tekanan cenderung mengurangi reaksi fase gas yang tidak diinginkan dan meningkatkan keseragaman film di seluruh wafer.
Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – CVD pada tekanan sangat rendah, biasanya di bawah 10−6Pa (≈ 10−8torr).
CVD sub-atmosfer (SACVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Menggunakan tetraetil ortosilikat (TEOS) dan ozon untuk mengisi struktur Si rasio aspek tinggi dengan silikon dioksida (SiO2).[3]
Penggunaan
CVD umumnya digunakan untuk menyimpan film konformal dan menambah permukaan substrat dengan cara yang tidak mampu dilakukan oleh teknik modifikasi permukaan yang lebih tradisional. CVD sangat berguna dalam proses deposisi lapisan atom pada pengendapan lapisan material yang sangat tipis. Gallium arsenide digunakan di beberapa sirkuit terintegrasi (IC) dan perangkat fotovoltaik. Polisilikon amorf digunakan dalam perangkat fotovoltaik. Penggunaan CVD dengan karbida dan nitrida memberikan ketahanan aus.[4] Polymerization by CVD, perhaps the most versatile of all applications, allows for super-thin coatings which possess some very desirable qualities, such as lubricity, hydrophobicity and weather-resistance to name a few.[5] Polimerisasi oleh CVD, mungkin yang paling banyak digunakan, proses ini memungkinkan pelapisan super tipis yang memiliki beberapa kualitas yang sangat diinginkan, seperti pelumasan, hidrofobik, dan tahan cuaca.[6] CVD kerangka logam-organik (MOFs), jenis material nanopori kristal.[7] Baru-baru ini peningkatan pada proses ruang bersih terintegrasi untuk substrat dengan permukaan besar.[8] Teknik CVD juga menguntungkan untuk pelapisan membran, seperti pada desalinasi atau pengolahan air, karena pelapisan ini cukup seragam (konformal) dan tipis sehingga tidak menyumbat pori-pori membran.[9]
^Shareef, I. A.; Rubloff, G. W.; Anderle, M.; Gill, W. N.; Cotte, J.; Kim, D. H. (1995-07-01). "Subatmospheric chemical vapor deposition ozone/TEOS process for SiO2 trench filling". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 13 (4): 1888–1892. Bibcode:1995JVSTB..13.1888S. doi:10.1116/1.587830. ISSN1071-1023.
^Wahl, Georg et al. (2000) "Thin Films" in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, Wiley-VCH, Weinheim. DOI:10.1002/14356007.a26_681
Wild, Christoph (2008). "CVD Diamond Properties and Useful Formula" CVD Diamond Booklet PDFfree-download
Hess, Dennis W. (1988). Chemical vapor deposition of dielectric and metal filmsDiarsipkan 2013-08-01 di Wayback Machine.. Free-download from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM International).
