PROFILPELAJAR.COM

Вільям Бредфорд Шоклі
Вільям Бредфорд Шоклі
англ. William Bradford Shockley
	Вільям Шоклі Вільям Шоклі
Народився	13 лютого 1910[…] ; Лондон, Сполучене Королівство
Помер	12 серпня 1989[…] (79 років) ; Стенфорд, Санта-Клара, Каліфорнія, США ; ·рак простати
Поховання	Альта-Меса
Країна	США
Національність	американець
Діяльність	фізик, винахідник, викладач університету
Alma mater	Каліфорнійський технологічний інститут, Массачусетський технологічний інститут
Галузь	фізика напівпровідників
Заклад	Bell Labs, Стенфордський університет
Науковий ступінь	доктор філософії з фізикиd
Науковий керівник	Джон Слейтер
Членство	Національна академія наук США; Американська академія мистецтв і наук; Американське фізичне товариство
Партія	Республіканська партія США
Відомий завдяки:	відкриття транзистора
Батько	William Hillman Shockleyd
У шлюбі з	Jean Baileyd; Emmy Lanningd
Нагороди	премія Олівера Баклі (1953) Медаль пошани IEEE (1980) медаль Вільгельма Екснера (1963) Національна зала слави винахідників США (1974) премія пам'яті Морріса Лібманна (1952) медаль Голлі (1963) член Американського фізичного товариства[d] премія Комстока з фізики (1953) Людина року
	Вільям Бредфорд Шоклі у Вікісховищі

Ві́льям Бре́дфорд Шо́клі (англ. William B. Shockley; 13 лютого 1910, Лондон — 12 серпня 1989) — фізик, дослідник напівпровідників і транзисторів.

Біографічні відомості

Вільям Шоклі народився 13 лютого 1910 року в Лондоні, Велика Британія. Його батько Вільям Гілман Шоклі був гірничим інженером з Массачусетсу, а його дружина, Мері (уродженка Бредфорда) була заступником маркшейдера у Неваді.

Родина повернулася в Сполучені Штати в 1913 році, і Вільям-молодший у 1932 році одержав диплом бакалавра в Інституті технологій штату Каліфорнія. В Інституті технологій штату Массачусетс він навчався під керівництвом професора Джона Слейтера і захистив докторську роботу в 1936 році на тему «Енергетична зонна структура хлориду натрію». У тому ж році Шоклі влаштувався до Bell Telephone Laboratories, працюючи в групі, яку очолював доктор С.Дж. Девісон і проробив там (з короткою перервою під час війни) до 1955 року. Він пішов зі своєї посади директора відділу фізики транзисторів, щоб стати директором Shockley Semi-conductor Laboratory в корпорації Beckman Instruments, Inc., розташованої в Маунтін-В'ю, штат Каліфорнія. Там він зайнявся дослідженням і розробкою нових транзисторів та інших напівпровідникових пристроїв. У 1963 році був рекомендований Олександром М. Понятовим, професором машинобудування в Стенфордському університеті, де Шоклі став професором машинобудування та прикладних наук.

Під час Другої світової війни Шоклі був директором дослідницької групи, яка займалася питаннями боротьби з підводними човнами, а потім служив експертом при військовому міністрі (Secretary of War). Двічі читав лекції: у 1946 році в Принстонському університеті, та у 1954 році в Каліфорнійському інституті технологій. Один рік (1954–1955) він працював заступником директора та керівника досліджень Weapons System Evaluation Group у Департаменті оборони.

Був двічі одружений. Мав трьох дітей від першого шлюбу з Джин (уроджена Бейлі). Але цей шлюб розпався, і його другою дружиною стала Еммі Ленінг.

Помер 12 серпня 1989 року.

Дослідження

Дослідження Шоклі були спрямовані на вивчення: енергетичних зон твердих тіл, упорядкування та розпорядкування в сплавах, теорії вакуумних приладів (ламп), самодифузії міді, теорії дислокації, експериментів і теорії феромагнетних доменів, експериментів з фотоелектронами в хлориді срібла, різних напрямків у фізиці транзисторів і дослідження операції із залежності зарплати і продуктивності праці в дослідницьких лабораторіях.

Із 1936 року до початку війни займався проблемою практичної реалізації МДН-транзистора на поверхні германію, управляючий електрод якого розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч ефект поля і підтвердився експериментально проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. До речі, і після війни він продовжував дану тематику уже як керівник, в розпорядженні якого були Джон Бардін та Волтер Браттейн, які в той час займалися тривіальною справою вимірювання поверхневої провідності германію чотиризондовим методом. Під час одного із вимірювань і був відкритий так званий транзисторний, або біполярний ефект. За розробку теорії цього ефекту шляхом формального введення квазіпотенціалів Фермі для умови статичної квазірівноваги йому була присуджена Нобелівська премія з фізики.

Відзнаки і нагороди

Його роботи були відзначені багатьма нагородами. Шоклі був нагороджений медаллю за заслуги в 1946 році за роботу в департаменті війни, премією Морріса Лайбмана Інститутом Радіоконструкторів у 1952 році, а в наступному році премією Олівера Баклі у фізиці твердого тіла від Американського фізичного товариства, а роком пізніше — премія Сайруса Комстока від Національної академії наук. І найбільше визнання — Нобелівська премія з фізики, була вручена йому в 1956 році разом із двома колишніми колегами з Bell Telephone Laboratories, Джоном Бардіном і Волтером Браттейном.

У 1963 році він отримав медаль Голі від Американського товариства інженерів-механіків. Також доктор Шоклі з 1951 року був членом Наукової консультативної групи армії США, а з 1958 року — працював у Науковому консультативному комітеті військово-повітряних сил США. У 1962 році його було призначено до Наукового консультативного комітету при Президенті США. Також Шоклі отримав почесний ступінь доктора наук від Університету Пенсільванії, Університету Ратгерс і Коледжу імені Густавуса Адольфуса (Міннесота). Крім численних статей в наукових і технічних журналах Шоклі написав «Електрони в напівпровідниках р-типу» (1950) і редагував «Дефекти майже ідеальних кристалів» (1952). Також за свої винаходи він отримав понад 50 патентів у США.

Патенти Шоклі

Шоклі отриав понад 90 патентів США. Деякі відомі є:

US Patent #2502488 Semiconductor Amplifier. Applied for on Sept. 24, 1948; Його перший напівпровідниковий транзистор.
US patent #2655609 Bistable Circuits. Applied for on July 22 1952; Використовувався в комп'ютерах.
US patent #2787564 Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment. Applied for on Oct. 28, 1954; Дифузійний процес для імплантації домішок.
US patent #3031275 Process for Growing Single Crystals. Applied for on Feb. 20, 1959; Покрашення технології виробництва основних напівпровідникових матеріалів.
US patent #3053635 Method of Growing Silicon Carbide Crystals. Applied for on Sept. 26, 1960; Використання інших напівпровідників, а не тільки германію.

Праці Шоклі

Shockley, William — Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
Shockley, William — Mechanics Merrill (1966).
Shockley, William and Pearson, Roger — Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott-Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.