磷化鎵(GaP)是鎵的磷化物,是無機化合物,也是半導體材料,其間接能隙為2.26eV(300K)。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色,但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子,其顏色會變深。磷化鎵無味,不會溶於水。
若要變成N型半導體,需要掺杂硫或是碲,若要製作P型半導體,需要掺杂鋅。
磷化鎵常用在光學系統中,其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30,波長550 nm (green)時為3.45,波長840 nm(IR)時為3.19[1]。
發光二極體
自1960年代起,磷化鎵就會用來做低價的紅色、綠色及橘色發光二極體,亮度低至中等都有。在大電流時其壽命較短,其壽命對溫度也相當敏感,一般會獨立使用,或是配合磷砷化鎵使用。
純的磷化鎵會發波長555 nm的綠光,掺杂氮的會發出波長565 nm的黃綠光,掺杂氧化鋅的會發紅光(700 nm)。
磷化鎵會被黃光及紅光穿透,因此磷化鎵為基板的磷砷化鎵會比以砷化鎵為基板的要好。
在溫度到900 °C時,磷化鎵會分解,並且磷會以氣體方式離開。在LED晶元成長時,溫度會到1500度,為避免前敘情形,需將磷密封在熔化的氧化硼中,並用10-100大氣壓力的不活性气体加壓。此程序稱為液體密封切克勞斯基法(LEC),是矽晶元制程中柴可拉斯基法的變形。
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合金
外部連結
參考資料
- ^ 存档副本. [2015-12-18]. (原始内容存档于2010-11-13).