二硒化钨

二硒化钨
识别
CAS号	12067-46-8
PubChem	82910
SMILES	[Se]=[W]=[Se];
InChI	1S/2Se.W;
InChIKey	ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N
EINECS	235-078-7
性质
化学式	WSe2
摩尔质量	341.76 g·mol⁻¹
外观	灰色固体
密度	9.32
危险性
主要危害	External MSDS
相关物质
其他阴离子	二氧化钨; 二硫化钨
其他阳离子	二硒化钼
	若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

二硒化钨是分子式為WSe₂的無機化合物^[1]，二硒化钨有類似二硫化鉬的六角形結構，每一個钨原子都和六個硒共價鍵結，是以三稜鏡的配位方式鍵結，每一個硒則是以角錐狀的組態和三個钨鍵結。钨和硒之間的鍵長為2.526 Å，硒和硒之間的鍵長為3.34 Å^[2]。各層之間是以凡得瓦力結合，二硒化钨是在第六族金属二硫属化物中非常穩定的半導體。

製備

將钨的薄片在高壓及高溫（超過800 K）的硒蒸氣中加熱，利用溅射淀积（英语：sputter deposition）技術可在薄片上形成正確元素比例的六角形結晶^[3]：

W + 2 Se → WSe₂

用途

過渡金屬二硫屬化物是二極體，可應用在太陽能電池的光電轉換設備中WSe₂的帶隙為1.35 eV，其溫度係數為-4.6E-4 eV/K.^[4]。 WSe₂的光電極在酸性和鹼性下都很穩定，因此可以用在光電化學電池中^[5]。機械剝離的WSe₂ 單分子膜可以用在製造透明的光伏設備及超薄的LED^[6]。

WSe₂單分子膜（英语：Transition Metal Dichalcogenide monolayers）因為其性質和一般的二硒化钨不同，也有科學家在進行相關研究。

參考資料

^ Holleman, Arnold Frederik; Wiberg, Egon, Wiberg, Nils , 编, Inorganic Chemistry, 由Eagleson, Mary; Brewer, William翻译, San Diego/Berlin: Academic Press/De Gruyter, 2001, ISBN 0-12-352651-5
^ Schutte, W.J.; De Boer, J.L.; Jellinek, F. Crystal Structures of Tungsten Disulfide and Diselenide. Journal of Solid State Chemistry. 1986, 70: 207–209. doi:10.1016/0022-4596(87)90057-0.
^ Pouzet, J.; Bernede, J.C.; Khellil, A.; Essaidi, H.; Benhida, S. Preparation and characterization of tungsten diselenide thin films. Thin Solid Films. 1992, 208: 252–259. doi:10.1016/0040-6090(92)90652-R.
^ Upadhyayula, L.C.; Loferski, J.J.; Wold, A.; Giriat, W.; Kershaw, R. Semiconducting Properties of Single Crystals of n- and p-Type Tungsten Diselenide (WSe2). Journal of Applied Physics. 1968, 39: 353–358. doi:10.1063/1.1655829.
^ Gobrecht, J.; Gerischer, H.; Tributsch, H. Electrochemical Solar Cell Based on the d-Band Semiconductor Tungsten-Diselenide. Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie. 1978, 82 (12): 1331–1335. doi:10.1002/bbpc.19780821212.
^ Johnson, Dexter. Tungsten Diselenide Is New 2-D Optoelectronic Wonder Material. IEEE Spectrum. 11 March 2014 [19 March 2014]. （原始内容存档于2020-11-12）. （页面存档备份，存于互联网档案馆）