Ionel Solomon est un ancien élève de l'École Polytechnique (promotion 1949) et docteur ès sciences.
Sa carrière scientifique a été consacrée à la physique du solide, avec des travaux dans le domaine de la résonance magnétique et des semi-conducteurs photovoltaïques. En résonance magnétique nucléaire (RMN), ses travaux pionniers ont permis de jeter les bases du mécanisme de l'interaction dipolaire spin-spin, connue sous le nom d'effet Overhauser nucléaire (NOE). Cette formalisation porte aujourd'hui le nom d'« équations de Solomon »[3].
Il a fait une partie de sa carrière au sein d'entreprises privées : directeur scientifique de Solems[4], président du conseil scientifique de Phototronics(en).
Publications (liste sélective)
Résonance magnétique nucléaire (1955-1965) : Découverte de la relaxation dans un système de spins couplés. Magnétomètre terrestre. Détection bolométrique de la résonance.
Physique des semiconducteurs (1966-1976) : L'effet Hall “extraordinaire”. Pompage optique dans les solides. Découverte du transport dépendant des Spins.
Silicium amorphe et photovoltaïque (1977-1987) : transport et optique dans le silicium amorphe. Photopiles solaires. Nouveaux matériaux amorphes[5],[6],[7],[8].
Recherche matériaux (depuis 1989) : fibres carbone, fibres SiC et SiCN. Photoluminescence et électroluminescence dans les semiconducteurs et dispositifs[9].
Prix et distinctions
1958 : Grand Prix de la Recherche (avec Anatole Abragam et Jean Combrisson).
↑I. Solomon, M.P. Schmidt, H. Tran Quoc. Selective low-power plasma decomposition of silane-methane mixtures for the preparation of methylated amorphous silicon. Phys. Rev. B38, 9895 (1988)
↑I. Solomon, B. Drevillon, H. Shirai, N. Layadi. Plasma deposition of microcrystalline silicon: the selective etching model., J. Non-crystalline Solids, 164-166, p. 989 (1993).
↑K. Rerbal, F. Jomard, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Visible luminescence of porous amorphous Si(1-x) Cx:H due to selective dissolution of silicon. Appl. Phys. lett. 83, p. 45 (2003)
↑K. Kerbral, J.N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Temperature dependence of photoluminescence in amorphous Si1-xCx:H films. Eur. Phys. J. B51, p. 61 (2006)
↑ I. Solomon. "Amorphous Semiconductors", In Topics in Applied Physics, Ed. Springer Verlag, Berlin (1979)