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三甲基铟
	IUPAC名; Trimethylindium
	系统名; Trimethylindigane
别名	三甲基铟烷
识别
CAS号	3385-78-2
PubChem	76919
ChemSpider	69370
SMILES	C[In](C)C;
InChI	1/3CH3.In/h3*1H3;/rC3H9In/c1-4(2)3/h1-3H3;
InChIKey	IBEFSUTVZWZJEL-SGQDGSKVAB
EINECS	222-200-9
性质
化学式	InC; 3H; 9
摩尔质量	159.922 g·mol⁻¹
外观	白色晶体
密度	1.568 g cm−3 (at 20 °C)
熔点	88 °C（361 K）
沸点	134 °C（407 K）（在 101 °C（214 °F；374 K）以上分解）
溶解性（水）	反应
热力学
ΔfHm⦵298K	150.5-169.7 kJ mol−1
危险性
	GHS危险性符号;
GHS提示词	Danger
H-术语	H250, H260, H261, H314, H318
P-术语	P210, P222, P223, P231+232, P260, P264, P280, P301+330+331, P302+334, P303+361+353, P304+340, P305+351+338, P310, P321
主要危害	可自燃
相关物质
其他阳离子	三甲基硼; 三甲基铝; 三甲基镓; 三甲基铊
相关化学品	三乙基铟
	若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

三甲基铟，简称TMI 或TMIn，是一种有机铟化合物，化学式 In(CH₃)₃。它是无色、可自燃的固体。^[2]它的结构不像三甲基铝，但与三甲基镓类似，三甲基铟是单体。^[3]

制备

三甲基铟可以由三氯化铟和甲基锂反应而成。^[2]^[4]

InCl₃ + 3 LiMe → Me₃In^.OEt₂ + 3 LiCl

性质

相较于三甲基铝和三甲基镓，InMe₃ 是一种较弱的路易斯酸。它与仲胺和仲膦形成加合物。^[5]它和一种三嗪配体 (PrⁱNCH₂)₃ 形成的配合物含有六配位铟， C-In-C 键角为 114°-117°。它与三齿配体形成三个长键，N-In-N 角为 48.6°，长 In-N 键的键长为 278 pm。^[6]

结构

气态的InMe₃ 是单体，为平面三角形结构。它在苯溶液中是四聚体。^[5] 在固态时，三甲基铟有两种结构，一种是四方晶系的。另一种是2005年发现，密度较低的三方晶系，^[7]可以由 InMe₃ 在己烷重结晶而成。

四方的InMe₃的苯溶液是四聚体，在这些四聚体之间有桥接原子连接。每个铟原子都是五配位的，为扭曲三角双锥结构。三个最短的键的键长为 216 pm 都在水平方向，而轴向的In-C 键较长，为 308 pm（四聚体里的 InMe₃）或 356 pm（四聚体和四聚体之间的桥接键）。^[8] 固态GaMe₃ 和TlMe₃也有类似的结构。^[8]三甲基铟的固态结构使得它的熔点（89°-89.8 °C）比三乙基铟（-32 °C）大得多。^[5]

三方的InMe₃则是环状六聚体，结构为环己烷构象。其中的铟原子也是五配位，In-C 平均键长为 216.7 pm ，几乎和四方晶系一样。它的轴向键则为302.8 pm（这些键将InMe₃单体连接为六聚体）或 313.4 pm（六聚体和六聚体之间的桥接键）。^[7]

危险性

三甲基铟会自燃。^[9]

参考资料

^ Trimethylindium - PubChem Public Chemical Database. The PubChem Project. USA: National Center for Biotechnology Information. Descriptors Computed from Structure. 27 March 2005 [21 September 2011]. （原始内容存档于2012-11-04）.
^ ^2.0 ^2.1 Bradley, D. C.; Chudzynska, H. C.; Harding, I. S. Trimethylindium and Trimethylgallium. Inorganic Syntheses. 1997, 31: 67–74. doi:10.1002/9780470132623.ch8.
^ Greenwood, Norman Neill; Earnshaw, Alan. Chemistry of the elements. 2016. ISBN 978-0-7506-3365-9. OCLC 1040112384 （英语）.
^ Main Group compounds in Inorganic Syntheses, vol 31, Schultz, Neumayer, Marks; Ed., Alan H. Cowley, John Wiley & Sons, Inc., 1997, ISBN 0471152889
^ ^5.0 ^5.1 ^5.2 CVD of compound semiconductors, Precursor Synthesis, Development and Applications, Anthony C. Jones, Paul O'Brien, John Wiley & Sons, 2008, ISBN 3527292942
^ Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements 2nd. Oxford:Butterworth-Heinemann. 1997: 263. ISBN 0-7506-3365-4.
^ ^7.0 ^7.1 Lewiński, Janusz; Zachara, Janusz; Starowieyski, Kazimierz B.; Justyniak, Iwona; Lipkowski, Janusz; Bury, Wojciech; Kruk, Przemysław; Woźniak, Robert. A Second Polymorphic Form of Trimethylindium: Topology of Supramolecular Architectures of Group 13 Trimethyls. Organometallics. 2005, 24 (20): 4832–4837. ISSN 0276-7333. doi:10.1021/om050386s.
^ ^8.0 ^8.1 Inorganic Chemistry, (2d edition), Catherine E. Housecroft, Alan G. Sharpe, Pearson Education, 2005, ISBN 0130399132 , ISBN 978-0130399137
^ Chemistry of Materials (2000); doi:10.1021/cm990497f