Phosphor nitride có thể được tạo ra từ phản ứng giữa phosphor(V) và các hợp chất nitơ (như amonia và natri azua):
3 PCl5 + 5 NH3 → P3N5 + 15 HCl
3 PCl5 + 15 NaN3 → P3N5 + 15 NaCl + 5 N2
Những phương pháp tương tự cũng từng được dùng để điều chế bo nitride (BN) và silicon nitride (Si3N4);tuy nhiên những sản phẩm tạo ra thường không tinh khiết và vô định hình.[1][2]
Phosphor nitride hiện tại không có ứng dụng quy mô lớn nào mặc dù nó đã được phát hiện và sử dụng như vật liệu cho đèn sợi đốt; thay thế các hỗn hợp chứa phosphor đỏ thường được sử dụng trước đó vào cuối những năm 1960.
Cũng có nhiều nghiên cứu dùng nó làm một vật liệu mới cho các thiết bị điện tử dựa vào chất bán dẫn; đặc biệt là làm chất cách điện cổng trong MOSFET.[5][6]
Một số bằng sáng chế đã được đệ trình cho việc sử dụng phosphor nitride trong các biện pháp cứu hỏa.[7][8]
^Schnick, Wolfgang (ngày 1 tháng 6 năm 1993). “Solid-State Chemistry with Nonmetal Nitrides”. Angewandte Chemie International Edition in English. 32 (6): 806–818. doi:10.1002/anie.199308061.
^Meng, Zhaoyu; Peng, Yiya; Yang, Zhiping; Qian, Yitai (ngày 1 tháng 1 năm 2000). “Synthesis and Characterization of Amorphous Phosphorus Nitride”. Chemistry Letters (11): 1252–1253. doi:10.1246/cl.2000.1252.
^Schnick, Wolfgang; Lücke, Jan; Krumeich, Frank (1996). “Phosphorus Nitride P3N5: Synthesis, Spectroscopic, and Electron Microscopic Investigations”. Chemistry of Materials. 8: 281. doi:10.1021/cm950385y.
^Hirota, Yukihiro (1982). “Chemical vapor deposition and characterization of phosphorus nitride (P3N5) gate insulators for InP metal-insulator-semiconductor devices”. Journal of Applied Physics. 53 (7): 5037. doi:10.1063/1.331380.
^Jeong, Yoon-Ha; Choi, Ki-Hwan; Jo, Seong-Kue; Kang, Bongkoo (1995). “Effects of Sulfide Passivation on the Performance of GaAs MISFETs with Photo-CVD Grown P3N5 Gate Insulators”. Japanese Journal of Applied Physics. 34 (Part 1, No. 2B): 1176–1180. doi:10.1143/JJAP.34.1176.