Galliumarsenied is 'n verbinding van gallium met arseen met die chemiese formule GaAs.
Dit is 'n halfgeleier met 'n direkte bandgaping van 1,424 eV, wat vanweë sy optiese en elektroniese eienskappe wydverspreide toepassing gevind het.[3]
Kristalstruktuur
Galliumarsenied kristalliseer in die kubiese sfaleriet-struktuur (B3) soos die meeste III-V-halfgeleiers.
Elektroniese eienskappe
Die direkte bandgaping in geleë in punt Γ, die oorsprong van die Brillouin-sone. Die effektiewe massa van die elektrone in die geleidingsband in punt Γ is 0,067 mo. Daar is egter 'n tweede indirekte bandgaping tussen die punt Γ en die punt L wat net 0,29 eV groter is en die effektiewe massa van die elektrone in L is baie groter (~0,55 mo). Daar is ook twee verskillende holtes in die valensband omdat twee bande in punt Γ saamkom. Daar is daarom ligte holtes (~0,075 mo) en swaar holtes (~0,50 mo).[3]
↑Scott N, Carter DE, Fernando Q. (1989). "Reaction of gallium arsenide with concentrated acids: formation of arsine". Am Ind Hyg Assoc J. 50 (7): 379–81. doi:10.1080/15298668991374831.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)
↑Pierson B, Van Wagenenn S, Nebesny KW, Fernando Q, Scott N, Carter DE (1989). "Dissolution of crystalline gallium arsenide in aqueous solutions containing complexing agents". Am Ind Hyg Assoc J. 50 (9): 455–9. doi:10.1080/15298668991374985.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)