Трисульфид гафния — бинарное неорганическое соединение
гафния и серы
с формулой HfS3 ,
кристаллы.
Нагревание стехиометрических количеств простых веществ:
H
f
+
3
S
→
300
− − -->
400
o
C
H
f
S
3
{\displaystyle {\mathsf {Hf+3S\ {\xrightarrow {300-400^{o}C}}\ HfS_{3}}}}
Трисульфид гафния образует кристаллы
моноклинной сингонии , параметры ячейки a b c β = 98,16°Z [ 1] [ 2] [ 3]
Соединение является полупроводником [ 4]
H
f
S
3
→
T
H
f
S
2
+
S
{\displaystyle {\mathsf {HfS_{3}\ {\xrightarrow {T}}\ HfS_{2}+S}}}
↑ Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М. : Металлургия, 1997. — Т. 2. — 1024 с. — ISBN 5-217-01569-1 . ↑ B. Predel. Hf-S (Hafnium-Sulfur) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1996. — Т. 5f . — С. 1 . — doi :10.1007/10501684_1600 .↑ Haraldsen Haakon, Kjekshus Arne, Røst Erling, Steffensen Arne. On the Properties of TiS3 , ZrS3 , and HfS3 . // Acta Chemica Scandinavica. — 1963. — Т. 17 . — С. 1283-1292 . — doi :10.3891/acta.chem.scand.17-1283 . Архивировано 10 сентября 2016 года.↑ Mahmud Abdulsalam, Daniel P. Joubert. Electronic and optical properties of MX3 (M = Ti, Zr and Hf; X = S, Se) structures: A first principles insight // physica status solidi (b). — 2016. — Т. 253 , № 5 . — С. 868–874 . — doi :10.1002/pssb.201552705 .
