Оксид гафния(IV)

Оксид гафния​(IV)​
Общие
Систематическое
наименование
оксид гафния​(IV)​
Традиционные названия окись гафния
Хим. формула
Физические свойства
Состояние белые кристаллы
Молярная масса 210,19 г/моль
Плотность 9,68 г/см³
Термические свойства
Температура
 • плавления 2780; 2790 °C
 • кипения 5400 °C
Мол. теплоёмк. 60,2 Дж/(моль·К)
Энтальпия
 • образования −1117 кДж/моль
Структура
Кристаллическая структура моноклинная, тетрагональная, кубическая
Классификация
Рег. номер CAS 12055-23-1
PubChem
Рег. номер EINECS 235-013-2
SMILES
InChI
ChemSpider
Безопасность
NFPA 704
NFPA 704 four-colored diamondОгнеопасность 0: Негорючее веществоОпасность для здоровья 1: Воздействие может вызвать лишь раздражение с минимальными остаточными повреждениями (например, ацетон)Реакционноспособность 0: Стабильно даже при действии открытого пламени и не реагирует с водой (например, гелий)Специальный код: отсутствует
0
1
0
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Окси́д га́фния(IV) — бинарное неорганическое соединение металла гафния и кислорода с формулой , бесцветные кристаллы или белый порошок, нерастворим в воде, из растворов солей выделяется в виде кристаллогидрата.

Получение

Сжиганием металлического гафния в кислороде:

.

Действием перегретого па́ра на металлический гафний:

.

Разложением при нагревании дигидроксид-оксида гафния:

.

Окислением кислородом хлорида гафния(IV):

.

Разложением при нагревании оксид-дихлорида гафния:

.

Разложением перегретым па́ром оксид-дихлорида гафния:

.

Пиролизом оксалата, сульфата и других солей гафния:

.

Физические свойства

Оксид гафния(IV) представляет собой бесцветные кристаллы, в мелкодисперсном состоянии — белый порошок, кристаллизуется в нескольких кристаллических модификациях:

Не растворяется в воде, р ПР = 63,94.

Химические свойства

При осаждении из водных растворов образуется осадок плохо растворимого желтоватого гидрата состава .

Прокалённый оксид гафния химически более инертен.

Гидратированная форма при нагревании разлагается до дигидроксид-оксида гафния:

.

Медленно реагирует с серной кислотой:

.

Реагирует с концентрированной плавиковой кислотой:

.

Реагирует с галогенами в присутствии восстановителей:

.

При сплавлении с гидроксидами, оксидами щелочных металлов образует соли гафниевой кислоты — гафнаты:

.

Применение

Примечания

  1. Pan Kwi Park, Sang-Won Kang: Enhancement of dielectric constant in HfO2 thin films by the addition of Al2O3. In: Applied Physics Letters. 89, 2006, S. 192905, doi:10.1063/1.2387126.
  2. M. N. Jones, Y. W. Kwon, D. P. Norton: Dielectric constant and current transport for HfO2 thin films on ITO. In: Applied Physics A. 81, 2005, S. 285–288, doi:10.1007/s00339-005-3208-2.
  3. Intel. Intel's Fundamental Advance in Transistor Design Extends Moore's Law, Computing Performance (11 ноября 2007). Дата обращения: 23 сентября 2018. Архивировано 23 декабря 2018 года.
  4. Александр Дубов. Наночастицы оксида гафния помогут обнаружить и удалить зубной налет. nplus1.ru. Дата обращения: 21 августа 2018. Архивировано 21 августа 2018 года.

Литература

  • Химическая энциклопедия / Редкол.: Кнунянц И. Л. и др.. — М.: Советская энциклопедия, 1988. — Т. 1. — 623 с.
  • Справочник химика / Редкол.: Никольский Б. П. и др.. — 2-е изд., испр. — М.Л.: Химия, 1966. — Т. 1. — 1072 с.
  • Справочник химика / Редкол.: Никольский Б. П. и др.. — 3-е изд., испр. — Л.: Химия, 1971. — Т. 2. — 1168 с.
  • Лидин Р. А. и др. Химические свойства неорганических веществ: Учеб. пособие для вузов. — 3-е изд., испр. — М.: Химия, 2000. — 480 с. — ISBN 5-7245-1163-0.
  • Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. — М.: Мир, 1972. — Т. 2. — 871 с.