Oana Jurchescu a absolvit la Universitatea de Vest din Timișoara atât ciclul de licență, cât și cel de master în fizică.[3] Studiile doctorale le-a urmat la Universitatea din Groningen, Țările de Jos, unde a studiat semiconductorii organici pentru aparatele optoelectronice.[3] În 2006 și-a susținut teza de doctorat cu titlul Molecular Organic Semiconductors for Electronic Devices (în românăSemiconductori organici moleculari pentru echipamente electronice), sub conducerea lui Thomas Theodorus Marie Palstra(d).[4]
Carieră
Între 2007–2009 a fost cercetător postdoctoral la NIST.[3]
Din 2009 a venit la departamentul de fizică de la Wake Forest University. Aici se ocupă de aplicarea materialelor noi în dispozitive electronice. A explorat în special semiconductorii organici și hibrizi organic–anorganici și modul în care cu aceștia se pot realiza dispozitive electronice flexibile cu suprafață mare.[5][6]
Oana Jurchescu a colaborat cu medici pentru a realiza detectoare de radiații bazate pe tranzistori organici cu efect de câmp(d) pentru pacienții care urmează un tratament pentru cancer. Aceste dispozitive, bazate pe 2,8-difluor-5,11-bis(trietilsililetinil)antraditiofen (diF-TES ADT), au acționat ca dozimetre in vivo pentru a monitoriza în timp real nivelurile de radiații de pe pielea unui pacient.[7] Pe lângă faptul că urmărește mobilitatea mare a purtătorilor de sarcini, Jurchescu este interesată de degradările care pot reduce performanța și durabilitatea dispozitivelor electronice organice.[8][9]
În 2021 Oana Jurchescu a primit din partea Universității titlul de Baker Family Professor of Physics.[10]
Premii și onoruri
2012 Bursa Fondului de Dotare a Facultății de la Wake Forest University.[11]
2013 Premiul Reid-Doyle pentru Excelență în Predare[12]
2013 Premiul de Inovare al Wake Forest University.
2014 Numărul despre cercetătorii în dezvoltare al Journal of Materials Chemistry C.
2015 Premiul de Excelență al Wake Forest University.[14]
2017 Premiul Omicron Delta Kappa al Familiei Kulynych.[15]
2018 Premiul URECA pentru Excelență în Îndrumarea în Cercetare și Creativitate.[16]
2020 Premiul de Excelență al Asociației Studenților Absolvenți ai Facultății.[17]
2022 Premiul Special de Creativitate al NSF pentru dezvoltarea OSCAR (Organic Semiconductors by Computation on the Accelerated Refinement).[18][19] OSCAR urmărește crearea de noi materiale moleculare, care să poată fi valorificate rapid[20]
en D J Gundlach; J E Royer; S K Park; et al. „Contact-induced crystallinity for high-performance soluble acene-based transistors and circuits'"`UNIQ--ref-00000022-QINU`"'”. Nature Materials[*][[Nature Materials (scientific journal)|]][21] (în engleză). doi:10.1038/NMAT2122'"`UNIQ--ref-00000021-QINU`"'. ISSN1476-1122. PMID[21] 18278050'"`UNIQ--ref-00000024-QINU`"' Verificați valoarea |pmid= (ajutor). WikidataQ47910287.ref stripmarker în |doi= la poziția 17 (ajutor); ref stripmarker în |journal= la poziția 304 (ajutor); ref stripmarker în |pmid= la poziția 9 (ajutor); ref stripmarker în |title= la poziția 96 (ajutor)
.svg){kind=small}
