Silikon karbida

Silikon karbida
Sampel silikon karbida
Nama
Nama IUPAC pilihan
Silikon karbida
Silicon carbide
Nama lain
Karborundum
Pengecam
Imej model 3D Jmol
ChEBI
ChemSpider
ECHA InfoCard 100.006.357
Nombor EC
  • 206-991-8
13642
MeSH Silicon+carbide
Nombor RTECS
  • VW0450000
UNII
  • InChI=1S/CSi/c1-2 ☑Y
    Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N ☑Y
  • Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF
  • InChI=1/CSi/c1-2
  • [C-]#[Si+]
Sifat
CSi
Jisim molar 40.10 g·mol−1
Rupa bentuk Kuning ke hijau ke hitam kebiruan, hablur berwarna-warni[1]
Ketumpatan 3.16 g⋅cm−3 (heks.)[2]
Takat lebur 2,830 °C (5,130 °F; 3,100 K)[2] (terurai)
Keterlarutan Tak larut dalam air, larut dalam alkali dan logam lebur[3]
Pegerakan elektron ~900 cm2/(V⋅s) (semua polijenis)
−12.8 × 10−6 cm3/mol[4]
2.55 (inframerah; semua polijenis)[5]
Bahaya
Piktogram GHS GHS08: Health hazard
Perkataan isyarat GHS Danger
HH350i
P201, P202, P260, P261, P264, P270, P271, P280, P281, P302+352, P304+340, P305+351+338, P308+313, P312, P314, P321, P332+313, P337+313, P362, P403+233, P405, P501
NFPA 704 (berlian api)
NFPA 704 berlian 4 warnaKemudahbakaran kod 0: Tidak terbakar. Cth, airKesihatan kod 1: Pendedahan akan menyebabkan kerengsaan tetapi hanya kecederaan sisa kecil. Cth, turpentinKereaktifan kod 0: Biasanya stabil, walaupun di bawah keadaan pendedahan api, dan tidak reaktif dengan air. Cth, nitrogen cecairBahaya khas (putih): tiada kod
0
1
0
NIOSH (Had pendedahan kesihatan AS):
TWA 15 mg/m3 (jumlah) TWA 5 mg/m3 (sedut)[1]
REL (Disyorkan)
 TWA 10 mg/m3 (jumlah) TWA 5 mg/m3 (sedut)[1]
N.D.[1]
Kecuali jika dinyatakan sebaliknya, data diberikan untuk bahan-bahan dalam keadaan piawainya (pada 25 °C [77 °F], 100 kPa).
 ☑Y pengesahan (apa yang perlu: ☑Y/N?)
Rujukan kotak info

Silikon karbida (SiC) atau karborundum, ialah sebuah semikonduktor yang mengandungi silikon dan karbon. Bahan ini wujud dalam persekitaran sebagai mineral moisanit yang jarang dijumpai. Serbuk SiC buatan telah dihasilkan sejak 1893 untuk digunakan sebagai pelelas. Butiran-butiran SiC boleh digabungkan dengan penyinteran untuk membentuk seramik keras yang banyak digunakan dalam aplikasi ketahanan tinggi seperti brek dan cekam kenderaan serta jaket kalis peluru. Hablur tunggal besar SiC dapat dibentuk melalui kaedah Lely dan dipotong menjadi permata (moisanit sintetik).

Aplikasi-aplikasi elektronik termasuk diod pemancar cahaya (LED) dan pengesan dalam radio-radio awal. Sic digunakan dalam peralatan elektronik yang beroperasi pada suhu dan/atau voltan tinggi.

Rujukan

  1. ^ a b c d NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards. "#0555" (dalam bahasa Inggeris). National Institute for Occupational Safety and Health (NIOSH).
  2. ^ a b Haynes, William M., penyunting (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ed. 92). Boca Raton, FL: CRC Press. m/s. 4.88. ISBN 1439855110.
  3. ^ Pubchem. "Silicon carbide". pubchem.ncbi.nlm.nih.gov (dalam bahasa Inggeris). Dicapai pada 2018-11-27.
  4. ^ Haynes, William M., penyunting (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ed. 92). Boca Raton, FL: CRC Press. m/s. 4.135. ISBN 1439855110.
  5. ^ "Properties of Silicon Carbide (SiC)". Ioffe Institute. Dicapai pada 2009-06-06.

Pautan luar