バルクマイクロマシニングとは、MEMS(マイクロマシン)作製技術の一つ。 基板もしくは厚膜(数十μm以上)を加工してMEMSデバイスを作製する技術の総称。(参考:サーフェイスマイクロマシニング)

主にSOI(Silicon On Insulator)ウエハや基板そのものを加工してデバイスを作製する。

従来は水酸化カリウム(KOH)や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを用いたウエットエッチングによる加工が主流であったが、ICP-RIEによる深掘りエッチングが可能となり、これが主流となった。 ボッシュプロセスの発明により、シリコンに対する垂直な深掘りエッチングが可能となった。

• シンクロトロン放射光

異方性(結晶面に依ってエッチング速度が違う事を利用。アルカリ性のエッチング液を使う場合が多い)

• 水酸化カリウム(KOH)
• TMAH

等方性

• 反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)
• 誘導結合プラズマRIE(ICP-RIE:Inductive Coupled Plasma-RIE)

• 基板接合
• ダイシング

• ICP-RIE
• サーフェイスマイクロマシニング
• MEMS
• マイクロマシン
• ボッシュプロセス(Bosch process)