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Lanying Lin
Información personal
Nacimiento	7 de febrero de 1918 ; Putian (República Popular China)
Fallecimiento	4 de marzo de 2003 (85 años)
Nacionalidad	China
Educación
Educada en	Universidad de Pensilvania; Universidad de Chicago; Dickinson College ;
Información profesional
Ocupación	Política y física
Cargos ocupados	Miembro de la Asamblea Popular Nacional; Member of the Standing Committee of the National People's Congress ;
Distinciones	Academician of the Chinese Academy of Sciences (1980) ;
	[editar datos en Wikidata]

Lanying Lin (transliteración 林兰英) (7 de febrero de 1918 – 4 de marzo de 2003) fue una científica china en el campo de la ingeniería de materiales.^[1]^[2]^[3]^[4] Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Es considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació en una familia prestigiosa, profundamente influida por la creencia de que la mujer no necesitaba una educación. Por ello, no asistió a la escuela primaria. Pero ella luchó contra su familia por un cambio y consiguió la posibilidad de iniciar una educación formal. Se graduó por la Universidad cristiana de Fujian, con un grado de B.A. en Física.^[5] A los treinta años, asistió a la Dickinson University y ganó otro grado en matemáticas. En 1955, recibió el doctorado en Física del estado sólido por la Universidad de Pensilvania, convirtiéndose en la primera persona china en cien años en ganar el doctorado en esa universidad. En 1957, regresó a China y fue asignada para ser investigadora en el Instituto de Física CAS. Luego se mudó al Instituto de Semiconductores CAS y ocupó toda su vida con investigaciones en esa institución.

Opiniones sobre asuntos de género^[2]

Durante su vida, afrontó muchas dificultades por ser mujer. Después de volver de EE. UU., se unió a la Federación de Mujeres de China.^[6] Dio muchas conferencias y hablaba sobre asuntos de género. Creyó que en el campo de la ciencia, mujeres y hombres son iguales.

Atribuciones y honores^[3]

1957: hizo el primer germanio monocristalino (N-estilo y P-estilo) en China, sentando las bases para el desarrollo del radio transistor.
1958: fabrica el antimoniuro de galio monocristalino
1958: noviembre, fabricado el primer silicio cristalino
1959: hizo el sulfuro de cadmio cristalino
1960: hizo los materiales extensos para el silicio
1962: fabrica el primer horno monocristalino llamado TDK en China
1962: fabrica el primer silicio monocristalino sin malposición en China
1962: se produce el primer antimoniuro de indio monocristalino con la mayor purificación
1962: primer arseniuro de galio monocristalino
1963: fabrica el primer láser semiconductor en China
1963: fabrica silicio altamente purificado y recibe el segundo premio de los Logros Nacionales en Ciencia y Tecnología
1964: Diseña el proceso de hacer silicio con baja malposición y recibe el segundo premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología
1974: fabrica el primer arseniuro de galio monocristalino sin malposición
1978: recibe el CAS Logros Importantes del Premio de Ciencia y Tecnología
1981: fabrica el circuito integrado y recibe el CAS Logros Importantes del Premio de Ciencia y Tecnología
1986: realiza el circuito integrado SOS-CMOS y recibe el tercer premio de Los Logros Nacionales en Ciencia y Tecnología
1989: investigación sobre el extenso material GaInAsSb/InP y recibe el segundo premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología
1989: realizó con éxito el experimento de fundir el arseniuro de galio en satélites artificiales y recibe el tercer premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología
1990-1991: recibió el tercer premio de Los Logros Nacionales de Ciencia y Tecnología cuatro veces
1991: hizo un satélite con cinco circuitos diferentes del circuito integrado SOS-CMOS
1992: hizo el fosfuro de indio monocristalino
1998: hizo células solares de arseniuro de galio licuando los materiales extensos
1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y planteó la nueva tecnología de crecimiento en materiales de alta temperatura

Actividades políticas^[3]

1962: vicepresidenta de la Federación Juvenil de toda China
1964: diciembre, diputada al congreso de la Tercera Asamblea Popular Nacional y miembro permanente de la Comisión del congreso de la Asamblea Popular Nacional
1975: enero, diputada al congreso de la Cuarta Asamblea Popular Nacional
1978: febrero, diputada al congreso de la Asamblea Popular Nacional
1978: hasta septiembre de 1983, miembro de la federación de Mujeres de toda China (ACWF)
1978: miembro del comité del Instituto chino de Electrónica (CIE)
1979: julio, directora gestora del Instituto chino de Electrónica (CIE)
1980: abril, segunda vicepresidenta de la Asociación China para la Ciencia y Tecnología (CAST)
1981: mayo, directora gestora del departamento de tecnología de la Academia china de Ciencia (CAS)
1982: septiembre, delegada de la Duodécima Conferencia Nacional del Pueblo celebrada por el Partido Comunista de China (CCP)
1983: mayo, diputada al congreso de la Sexta Asamblea Popular Nacional
1986: tercera vicepresidenta de la Asociación China para Ciencia y Tecnología (CAST)
1988: marzo, diputada en la Séptima Asamblea Nacional Popular y miembro de la Comisión permanente del congreso de la Asamblea Nacional Popular
1988: Directora honoraria del Instituto chino de Electrónica (CIE)
1991: cuarta vicepresidenta de la Asociación China para Ciencia y Tecnología (CAST)
1993: marzo, diputada en la Octava Asamblea Nacional Popular y miembro de la Comisión permanente del congreso de la Asamblea Nacional Popular
1996: Directora del Laboratorio Nacional Clave en microgravedad

Algunas publicaciones^[7]

Dislocations Y Precipita en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónico Abrahams-Buiocchi Aguafuerte^[8]
Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAs^[9]
Interfaz Roughness Esparciendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado Heterostructures^[10]
Crecimiento de GaAs Cristales Solos en Gravedad Alta^[11]
Mejora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecido bajo Microgravity^[12]
Magnetospectroscopy De Atado Phonons en Pureza Alta GaAs^[13]
Influencia de #DX centros en el AlxGa12xAs barrera en la densidad de temperatura baja y movilidad del gas de electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructure^[14]
Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma en el Schottky barrera en la capa activa^[15]
Backgating Y Sensibilidad Ligera en GaAs Metal-Transistores de Efecto de Campo de Semiconductor^[16]
Dependencia de Energía del fotón de SW Efecto en α-Si:H Películas^[17]
Irradiación de neutrón-Método de Medida Basado Infrarrojo para Interstitial Oxígeno en Fuertemente Boro-Silicio Dopado^[18]
Propiedades y Aplicaciones de GaAs el cristal Solo Crecido bajo Microgravity Condiciones^[19]
Resultados preliminares de GaAs Crecimiento de Cristal Solo bajo Condiciones de Gravedad Alta^[20]
Distribuciones espaciales de Impurezas y Defectos en Te-y Si-dopó GaAs Crecido en un Entorno de Gravedad Reducido^[21]
Microdefects Y uniformidad eléctrica de InP annealed en fósforo y hierro phosphide ambiances^[22]
Formación, estructura y fluorescencia de CdS grupos en un mesoporous zeolita^[23]
Fabrication De novel doble-hetero-epitaxial SOI estructura Si/γ-Al2O3/Si^[24]
Photostimulated Luminiscencia de grupos de plata en zeolita-Y^[25]
Caracterización de defectos y uniformidad de oblea entera de annealed undoped semi-aislante InP obleas^[26]
Muy abajo-presión VLP-CVD crecimiento de calidad alta γ-Al2O3películas encima silicio por multi-proceso de paso^[27]
Alguna observación nueva en la formación y propiedades ópticas de CdS grupos en zeolita-Y^[28]
Absorción spectra de Segrupos de ₈ anillos en zeolita 5Un^[29]
Crecimiento de GaSb y GaAsSb en la región de fase sola por MOVPE^[30]
Crecimiento y propiedades de pureza alta LPE-GaAs^[31]
Centros de color nuevo y photostimulated luminiscencia de BaFCl:Eu2+[1]^[32]
Channeling Análisis de self-implantado y recrystallized silicio encima zafiro^[33]
Semi-Aislante GaAs crecido en espacio exterior^[34]
Irradiación de neutrón indujo photoluminescence de cristal de silicio crecido en hidrógeno ambiental^[35]
La influencia de grosor en propiedades de GaN buffer capa y fuertemente Si-dopó GaN crecido por metalorganic vapor-fase epitaxy^[36]
La dependencia de índice de crecimiento de GaN buffer capa encima parámetros de crecimiento por metalorganic vapor-fase epitaxy^[37]
Self-Organización del InGaAs/GaAs puntos cuánticos superlattice^[38]
Thermoluminescence De CdS grupos en zeolita-Y^[39]

Referencias

↑ Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.
↑ ^a ^b Guo, Kemi (1998).
↑ ^a ^b ^c He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.
↑ "Lanying Lin".
↑ "Fukien Christian University".
↑ Chen, Chen (1996).
↑ Lin, Lanying (1992).
↑ Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).
↑ Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).
↑ Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).
↑ Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tao, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).
↑ Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).
↑ Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).
↑ Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).
↑ Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).
↑ Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).
↑ Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".
↑ Wang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01).
↑ Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".
↑ Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tao, F. (1992-04-02).
↑ Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment".
↑ Zhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01).
↑ Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).
↑ Tan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01).
↑ Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Lin, Jianhua; Su, Mianzeng (1997-08-04).
↑ Zhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30).
↑ Tan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01).
↑ Chen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01).
↑ Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).
↑ Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).
↑ Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".
↑ Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Su, Mianzeng (1998-01-01).
↑ Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.
↑ Chen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01).
↑ Lei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin.
↑ Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).
↑ Liu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15).
↑ Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).
↑ Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1 de marzo de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2): 151-156. doi:10.1016/S0022-2313(96)00129-9.

Enlaces externos

Esta obra contiene una traducción derivada de «Lanying Lin» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.

Datos: Q21604834

[:0-1] Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.

[:1-2] Guo, Kemi (1998).

[:2-3] He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.

[4] "Lanying Lin".

[5] "Fukien Christian University".

[6] Chen, Chen (1996).

[7] Lin, Lanying (1992).

[8] Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).

[9] Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).

[10] Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).

[11] Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tao, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).

[12] Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).

[13] Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).

[14] Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).

[15] Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).

[16] Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).

[17] Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".

[18] Wang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01).

[19] Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".

[20] Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tao, F. (1992-04-02).

[21] Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment".

[22] Zhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01).

[23] Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).

[24] Tan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01).

[25] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Lin, Jianhua; Su, Mianzeng (1997-08-04).

[26] Zhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30).

[27] Tan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01).

[28] Chen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01).

[29] Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).

[30] Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).

[31] Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".

[32] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Su, Mianzeng (1998-01-01).

[33] Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.

[34] Chen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01).

[35] Lei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin.

[36] Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).

[37] Liu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15).

[38] Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).

[39] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1 de marzo de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2): 151-156. doi:10.1016/S0022-2313(96)00129-9.

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