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Scandiumnitrid

Kristallstruktur
Kristallstruktur von Scandiumnitrid
_ N 0 _ Sc
Allgemeines
Name Scandiumnitrid
Andere Namen
  • Azanylidynescandium
  • Nitridoscandium
Verhältnisformel ScN
Kurzbeschreibung

schwarzes Pulver (Handelsform)[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 25764-12-9
EG-Nummer 247-247-2
ECHA-InfoCard 100.042.938
PubChem 117629
ChemSpider 105117
Wikidata Q4321619
Eigenschaften
Molare Masse 58,96 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

4,4 g·cm−3[1]

Schmelzpunkt

2600 °C[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[2]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 228​‐​302​‐​315​‐​319​‐​332​‐​335
P: 210​‐​240​‐​241​‐​261​‐​280​‐​301+330+331​‐​304+340​‐​305+351+338​‐​332+313​‐​370+378​‐​405​‐​501[2]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Scandiumnitrid (ScN) ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und stellt einen III-V-Verbindungshalbleiter mit indirekter Bandlücke dar. Scandiumnitrid ist ein Kristall mit kubischer Kristallstruktur, einer Gitterkonstante von 0,451 nm und wird mittels Kristallzucht auf einer Folie aus Wolfram gewonnen.[3] Das Halbleitermaterial weist eine indirekte Bandlücke von 0,9 eV und eine direkte Bandlücke mit 2 eV bis 2,4 eV auf.[4]

Scandiumnitrid wird in der Halbleiterindustrie unter anderem bei elektronischen Bauelementen wie Feldeffekttransistoren als Gate-Material eingesetzt, da es sich gut auf die Isolationsschichten wie Siliziumdioxid (SiO2) oder Hafniumdioxid (HfO2) aufbringen lässt.[5] Weiters wird es als Legierungsbestand bei Nichteisenmetallen eingesetzt.[1]

Einzelnachweise

  1. ↑ a b c d Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023.
  2. ↑ a b Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023.
  3. ↑ Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch).
  4. ↑ Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch).
  5. ↑ Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).

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