Фото семьи Тучкевичей, г. Пинск Слева-направо: Владимир, Антонина Владимировна, Николай, Максим Антонович, Татьяна
В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.
Владимир Максимович Тучкевич, 16 лет, Красноармеец
В том же году поступил на физико-математический факультет КГУ имени Т. Г. Шевченко. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте.
После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метрологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931—1935 годах преподавал в Харьковском электротехническом институте.
В 1935 году переехал в Ленинград, где стал работать в Ленинградском физико-техническом институте АН СССР (ЛФТИ). С ЛФТИ связана основная часть карьеры Тучкевича (в разные годы он являлся научным сотрудником, старшим научным сотрудником, учёным секретарём, заведующим сектором, лабораторией, директором, см. ниже).
Пособие В.М. Тучкевича для ЛИИ 1939 год
Также с 1935 года продолжил педагогическую деятельность в ЛПИ им. М. И. Калинина: сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики.
В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжёлых элементов. С 1949 года в ЛФТИ возглавлял сектор лаборатории Д. Н. Наследова, где занимался поиском методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.
В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения. С середины 1950-х руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В 1958 году его сектор выделился в самостоятельную лабораторию, сфокусировавшуюся на вопросах силовой электроники. В лаборатории Тучкевича группами руководили Ж. И. Алфёров (позднее перешедший на лазерную тематику, лауреат Нобелевской премии по физике), Ю. В. Шмарцев (затем создавший собственную лабораторию сильнолегированных полупроводников), И. В. Грехов (впоследствии сменивший своего наставника на посту завлаба).
Был одним из академиков АН СССР, подписавших в 1973 году письмо учёных в газету «Правда» с осуждением «поведения академика А. Д. Сахарова». В письме Сахаров обвинялся в том, что он «выступил с рядом заявлений, порочащих государственный строй, внешнюю и внутреннюю политику Советского Союза», а его правозащитную деятельность академики оценивали как «порочащую честь и достоинство советского учёного»[1][2].
Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьём, используемых в производстве чёрных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в ЛПИ имени М. И. Калинина кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.
С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научные труды Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в ФТИ были разработаны первые в СССР германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности. Создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработал, в сотрудничестве с И. В. Греховым и другими коллегами, ряд новых силовых полупроводниковых приборов. Автор более 150 научных публикаций и 18 авторских изобретений.
На здании Физико-технического института (ФТИ РАН, Санкт-Петербург, Политехническая улица, 26) в 2003 году была установлена мемориальная доска (художник Э. Х. Насибулин) с текстом: «В этом здании с 1936 по 1997 год работал выдающийся советский учёный Владимир Максимович Тучкевич».
В ФТИ РАН с 2010 года присуждается премия имени В. М. Тучкевича (раз в два года)[3].
Награды и почётные звания
Герой Социалистического Труда (28 декабря 1984) — за большие заслуги в развитии советской науки и техники, подготовке научных кадров и в связи с 80-летием со дня рождения
Орден Ленина (28 декабря 1984) — за большие заслуги в развитии советской науки и техники, подготовке научных кадров и в связи с 80-летием со дня рождения
Ленинская премия (1966) — за исследование сложных структур с p—n переходами, разработку технологии изготовления и внедрение в серийное производство силовых кремниевых вентилей
Сталинская премия I степени (10 апреля 1942) — за изобретение метода защиты кораблей
Храмов Ю. А. Тучкевич Владимир Максимович // Физики : Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и доп. — М. : Наука, 1983. — С. 266. — 400 с. — 200 000 экз.
