PROFILPELAJAR.COM

Александр Сергеевич Терехов
Александр Сергеевич Терехов
Дата рождения	14 июня 1948 (76 лет)
Место рождения	Томск, РСФСР, СССР;
Род деятельности	физик
Место работы	Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН;
Альма-матер	Новосибирский государственный университет;
Награды и премии

Александр Сергеевич Терехов (род. 14 июня 1948, Томск) — советский и российский физик. Доктор физико-математических наук (1991), профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета (1992)^[1].

Специалист в области оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных явлений в полупроводниковых структурах^[2]. Автор и соавтор более 200 научных публикаций^[3] и обладает несколькими авторскими свидетельствами на изобретения^[2]. Имеет более 1700 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2022 год) — 22^[4]

Биография

А. С. Терехов родился 14 июня 1948 года в Томске в семье служащих. В 1971 году с отличием окончил физический факультет Новосибирского государственного университета по специальности «Физика». После этого работал в Сибирском отделении АН СССР/РАН, пройдя путь от стажёра-лаборанта до старшего научного сотрудника в 1977 году^[2].

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию^[2] по теме «Исследование влияния электрического поля на поглощение арсенида галлия»^[5]. В 1983—1986 годах заведовал лабораторией оптических процессов в полупроводниках, а c 1986 года — отделом Института физики полупроводников. В 1991 году защитил докторскую диссертацию по теме «Новые фотоэлектрические явления в арсениде галлия вблизи порога межзонных переходов». С 1993 года является заведующим лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках Института физики полупроводников^[2]^[6].

В Новосибирском государственном университете работает с 1985 года: сначала ассистентом, затем доцентом, исполняющим обязанности заведующего кафедрой. В 1990—2008 годах заведовал кафедрой физики полупроводников физического факультета. В 1992 году А. С. Терехову было присвоено учёное звание профессора по кафедре физики полупроводников физического факультета НГУ. Читает курс «Введение в специальность (физика полупроводников)»^[2].

Под его руководством защищено 8 кандидатских диссертаций^[2].

Он является членом Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников» и членом диссертационных советов в Институте физики полупроводников СО РАН и Институте автоматики и электрометрии СО РАН^[2].

Научный вклад

Основными направлениями научной деятельности А. С. Терехова являются исследования оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниковых гетероструктурах, оптические и фотоэлектрические методы диагностики полупроводниковых структур, а также разработка новых типов эффективных полупроводниковых эмиттеров электронов и приборов на их основе^[7].

Он внёс вклад в понимание того, что кулоновское взаимодействие электронов и дырок определяет форму краёв поглощения широкозонных соединений A₃B₅ не только при низких, но и при высоких температурах. А. С. Терехов установил, что боковые квазичастицы — экситоны — приводят к разнообразным фотоэлектрическим эффектам вблизи порога межзонных переходов в полупроводниках. Также учёный открыл новый класс баллистических фотоэлектрических явлений при межзонных оптических переходах в полупроводниках и обнаружил новые полупроводниковые фотокатоды для приборов ночного видения и источников монохроматических спинополяризованных электронов^[7].

А. С. Терехов изучал оптические и фотоэлектрические явления на атомарно-чистых и покрытых цезием и кислородом^[8] поверхностях широкозонных соединениях A₃B₅ и установил, что электронные состояния на границе раздела полупроводник-адсорбат порождены смешиванием электронных состояний поверхностных атомов. Учёный занимается разработкой новых типов полупроводниковых фотоэмиттеров, позволяющих создавать на их основе сверхчувствительные фотоприёмники для оптической диагностики окружающей среды, медико-биологических и других исследований^[7].

Библиография

Методические указания по спецкурсу «Введение в специальность». Новосибирск, 1988. (в соавт.)
Влияние одноосного давления на энергетический спектр экситонов в GaAs // Физика твердого тела. 1981. Т. 23, вып. 5. С. 1407—1410. (в соавт.)
Альперович, В. Л., Белиничер, В. И., Новиков, В. Н., & Терехов, А. С. Поверхностный фотогальванический эффект в твердых телах. Теория и эксперимент для межзонных переходов в арсениде галлия // Журн. эксперим. и теор. физики. — 1981. — Т. 80. — С. 2298-2311.
Бакин В. В., Пахневич А. А., Косолобов С. Н., Шайблер Г. Э., Ярошевич А. С.,. Терехов А. С. Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из p⁺-GaAs(Cs, O) // Письма в ЖЭТФ. — 2003. — Т. 77. — С. 197—201.
Novotný, O.; ... Terekhov, A. S.; Vogel, S.; Zajfman, D.; Wolf, A. (2019). "Quantum-state–selective electron recombination studies suggest enhanced abundance of primordial HeH +". Science. 365: 676—679. doi:10.1126/science.aax5921.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
Orlov, D. A.; Hoppe, M.; Weigel, U.; Schwalm, D.; Terekhov, A. S.; Wolf, A. (2001). "Energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs, O)". Applied Physics Letters. 78: 2721—2723. doi:10.1063/1.1368376.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
Tereshchenko, O. E.; Chikichev, S. I.; Terekhov, A. S. (1999). "Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(100) surfaces". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 17: 2655—2662. doi:10.1116/1.581926.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)
Orlov, D. A.; Weigel, U.; Schwalm, D.; Terekhov, A. S.; Wolf, A. (2004). "Ultra-cold electron source with a GaAs-photocathode". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 532: 418—421. doi:10.1016/j.nima.2004.06.048.{{cite journal}}: Википедия:Обслуживание CS1 (множественные имена: authors list) (ссылка) (англ.)

Награды

Заслуженный деятель науки РФ (2004)^[2].

Примечания

↑ Профессора НГУ, 2014, с. 432—433.
↑ ¹ ² ³ ⁴ ⁵ ⁶ ⁷ ⁸ ⁹ ¹⁰ Профессора НГУ, 2014, с. 433.
↑ ¹ ² Список публикаций автора (рус.). https://elibrary.ru/. Научная электронная библиотека (2024). Дата обращения: 31 мая 2024.
↑ Корпус экспертов по естественным наукам (неопр.). http://www.expertcorps.ru/. Корпус экспертов. Дата обращения: 1 мая 2014. Архивировано 31 мая 2024 года.
↑ Терехов, Александр Сергеевич - Исследование влияния электрического поля на поглоще... [ (рус.). https://www.rsl.ru/. РГБ. Дата обращения: 13 мая 2024.
↑ Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках (рус.). https://www.isp.nsc.ru/. Институт физики полупроводников СО РАН (2024). Дата обращения: 31 мая 2024. Архивировано 31 мая 2024 года.
↑ ¹ ² ³ Профессора НГУ, 2014, с. 432.
↑ Терехов А. С., Чикичев С. И. Кафедра физики полупроводников // Вестник НГУ. Серия: Физика. — 2006. — Т. 1. — С. 29—33. Архивировано 31 мая 2024 года.

Литература

Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.