Синтетические алмазы

Несколько синтетических алмазов (HPHT)

Синтетические алмазы или искусственные алмазы (также известные как алмазы, созданные в лаборатории или лабораторно выращенные алмазы) — это алмазы, получаемые в результате искусственного процесса, в отличие от натуральных алмазов, создаваемых в результате геологических процессов.

Около 97 % алмазов (по массе), используемых в промышленности, — синтетические[1].

Терминология

Синтетические алмазы также широко известны под именами HPHT-алмазы или CVD-алмазы, названные так в честь двух популярных методов производства синтетических алмазов. HPHT расшифровывается как high-pressure high-temperature («высокие давление и температура»), а CVD — chemical vapor deposition («химическое осаждение из пара»)[2].

Термин «синтетические» считается достаточно неудачным. Федеральная торговая комиссия США предложила альтернативные термины: «выращенные в лаборатории», «созданные в лаборатории», и «созданные [название_производителя]». По их словам, эти термины «будут точнее выражать происхождение камня», так как термин «синтетические» обычно ассоциируется у потребителей с продуктами, имитирующими оригинал, тогда как произведённые искусственно алмазы являются аутентичными (то есть чистым углеродом, кристаллизованным в трёхмерной изотропической форме)[3].

История

Множество заявлений о синтезе алмазов было задокументировано между 1879 и 1928 годами; большинство этих заявлений было тщательно проанализировано, но ни одно из них так и не подтвердилось. В 1939 году советский учёный Овсей Лейпунский вычислил необходимые для успешного исхода опытов величины давления: минимум 60 000 атмосфер[4]. В 1972 году ему был выдан диплом на открытие закономерности образования алмазов с приоритетом, датированным августом 1939 года[5]. В 1940-х в США, Швеции и СССР начались систематические исследования по выращиванию алмазов с помощью методов CVD и HPHT. Эти два метода и по сей день доминируют в производстве синтетических алмазов.

Впервые воспроизводимый синтез был выполнен в 1953 году: шведский учёный Бальцар фон Платен сконструировал установку, в которой кубический образец сжимался шестью поршнями с разных сторон. 15 сентября 1953 года на ней были получены первые в мире искусственные алмазы[6].

Новый метод, известный как синтез с подрывом, стал использоваться в конце 1990-х. В основе данного метода лежит образование нанометровых песчинок алмаза при подрыве взрывчатки, содержащей углерод. Ещё один метод базируется на обработке графита высокомощным ультразвуком — он был продемонстрирован в лабораторных условиях, но пока не нашёл коммерческого успеха.

Технологии производства

Для производства искусственных алмазов используется несколько технологий. Исторически первый, и основной на сегодня благодаря относительно невысокой стоимости — использование высокого давления и высокой температуры (high pressure high temperature — HPHT). Оборудование для этого метода — многотонные прессы, которые могут развивать давление до 5 ГПа при 1500 °C. Второй метод — химическое осаждение из газовой фазы (chemical vapor deposition — CVD) — когда над подложкой создаётся плазма из атомов углерода, из которой атомы постепенно конденсируются на поверхность образуя алмаз. Третий метод использует формирование наноразмерных алмазов при помощи ударной волны от взрывчатки.[7][8][9]

Высокое давление, высокая температура

Схематичный рисунок пресса для получения алмазов.
Схематичный рисунок пресса

В HPHT методе используются три вида компоновки прессов: ленточный пресс, кубический пресс и пресс с разрезной сферой. Затравки алмазов помещаются на дно капсулы, помещаемой в пресс. В прессе под давлением капсулу нагревают до температуры выше 1400 °C, и металл-растворитель плавится. Расплавленный металл растворяет углерод, также заложенный в капсулу, и позволяет перемещаться атомам углерода к затравкам, благодаря чему затравки растут, формируя большие алмазы[10].

В оригинальном изобретении GE, сделанном Трейси Холлом (Tracy Hall), использовался ленточный пресс, где верхняя и нижняя наковальни сдавливали цилиндрическую ячейку. Давление внутри ячейки в радиальном направлении поддерживалось за счёт пояса из предварительно напряжённых стальных лент, опоясывающих цилиндрическую капсулу. Наковальни также служили электродами, пропускающими ток через сжимаемую капсулу. Некоторые варианты этого пресса используют гидравлическое давление вместо стальных лент для поддержания давления в радиальном направлении[10]. Ленточные прессы все ещё используются, но имеют значительно большие габариты, нежели оригинальная конструкция[11].

Второй тип прессов — кубические. Они используют шесть наковален для сжатия рабочего объёма, имеющего форму куба[12]. Первым вариантом пресса с несколькими наковальнями был пресс — тетраэдр, сжимающий рабочий объём при помощи четырёх наковален[13]. Кубические прессы появились очень быстро как результат попыток увеличить рабочий объём по сравнению с ленточными прессами. Кубические прессы, как правило, имеют меньшие габариты по сравнению с ленточными и быстрее выходят на рабочие режимы по давлению и температуре, необходимые для получения синтетических алмазов. Тем не менее кубические прессы не так просто увеличить для увеличения рабочего объёма. Увеличение рабочего объёма повлечёт увеличение размера наковален, которое повлечёт увеличение силы, прикладываемой к наковальне для получения прежнего давления. Возможным решением может быть уменьшение отношения наружной и внутренней площади наковальни за счёт использования рабочего объёма иной формы, например, додекаэдра. Но такие прессы будут сложнее и дороже в производстве[12].

A schematic drawing of a vertical cross-section through a BARS press: the synthesis capsule is surrounded by four tungsten carbide inner anvils. Those inner anvils are compressed by four outer steel anvils. The outer anvils are held a disk barrel and are immersed in oil. A rubber diaphragm is placed between the disk barrel and the outer anvils to prevent oil from leaking
Схема системы BARS

Третий, наиболее совершенный тип прессов для выращивания алмазов — БАРС (БАРС = Беспрессовая Аппаратура высокого давления «Разрезная Сфера»). Разработан в 1989—1991 гг. учёными из Института геологии и минералогии им. В. С. Соболева сибирского отделения РАН. Прессы этой конструкции наиболее компактные, эффективные, экономичные из всех установок для выращивания алмазов. В центр устройства помещается керамическая цилиндрическая капсула объёмом около 2 см3, в которой синтезируется алмаз. Капсула окружается передающей давление керамикой на базе пирофиллита, которая сжимается пуансонами первой ступени из твёрдого материала, например, карбида вольфрама или сплава ВК10[14]. Восьмигранная сборка пуансонов первой ступени сжимается при помощи восьми стальных пуансонов второй ступени. После сборки конструкция заключается между двух полусфер диаметром около метра, фиксируемых вместе полумуфтами. Зазор между полусферами и стальными пуансонами заполняется гидравлическим маслом под давлением, передавая усилие через пуансоны к капсуле. Капсула нагревается при помощи встроенного коаксиального графитового нагревателя, а температура контролируется при помощи термопары[15].

Химическое осаждение из газовой фазы

Алмазный монокристаллический диск, полученный по технологии химического осаждения из газовой фазы. Диаметр диска — около 9 см, толщина — около 1,5 мм, масса — 155 карат (31 грамм)

Химическое осаждение из газовой фазы — это метод получения алмазов, в котором алмаз растёт за счёт осаждения углерода на затравку из водород-углеродной газовой смеси. Данный способ активно прорабатывался научными группами в мире с 1980-х. В то время как HPHT процесс используется в промышленности для серийного производства алмазов, простота и гибкость CVD-технологии обусловили популярность этого метода в лабораториях. При выращивании алмазов по технологии осаждения из газовой фазы можно тонко контролировать химический состав включений в итоговый продукт, выращивать алмазные плёнки на заготовках большой площади. В отличие от HPHT, CVD-процесс не требует высокого давления — процесс роста происходит при давлениях менее 27 кПа[7][16].

CVD-процесс включает в себя подготовку подложки, заполнение рабочей камеры смесью газов и их последующее возбуждение. Процесс подготовки подложки включает в себя поиск подходящего материала и правильную ориентацию его кристаллографической плоскости, его очистку, часто включает в себя шлифовку алмазными порошками, подбор оптимальной температуры подложки (около 800 °C). Газовая атмосфера всегда содержит источник углерода (обычно метан) и водород, часто в соотношении 1 к 99. Водород необходим, так как селективно переводит углерод в неалмазном состоянии в газообразное соединение. Газовая смесь в рабочей камере ионизируется для образования химически активных радикалов при помощи микроволнового излучения, электрической дуги, лазером или каким-либо другим способом.

В процессе роста материал рабочей камеры может протравливаться плазмой, что приводит к загрязнению растущего алмаза. Так, CVD-алмазы очень часто содержат загрязнения из кремния от смотровых окон рабочей камеры[17]. По этой причине в конструкциях рабочих камер избегают кварцевых окошек или выносят их подальше от подложки. Также наличие следовых количеств бора делает невозможным выращивание чистых алмазов[7][16][18].

Детонация взрывчатки

An image resembling a cluster of grape where the cluster consists of nearly spherical particles of 5-nm diameter
Электронная микрофотография детонационных наноалмазов
См. также: Наноалмаз

Алмазные нанокристаллы (5 нм) в диаметре могут быть сформированы при детонации подходящей углерод-содержащей взрывчатки в металлической камере. Во время взрыва создаётся высокое давление и высокая температура, которой достаточно для превращения углерода из взрывчатки в алмаз. Сразу после взрыва камеру со взрывчаткой погружают в воду, это подавляет переход алмазов в более стабильный графит.[19] В одном из вариантов этой технологии металлическая трубка заполняется порошком графита и помещается внутрь камеры, заполненной взрывчаткой. Нагрев и давление, развиваемое от взрыва, достаточны для превращения графита в алмаз.[20] Финальный продукт всегда заключён в графите и других неалмазных формах графита, поэтому требует длительного кипячения в азотной кислоте (около суток при 250 °C) для извлечения.[8] Полученные таким образом алмазные порошки используются в основном как абразив. Основные производители — Китай, Россия, Белоруссия. Поступление на рынок в больших количествах началось приблизительно с начала 2000-х.[21]

Ультразвуковая кавитация

Алмазные кристаллы микронного размера могут быть получены при нормальных условиях в суспензии графита в органическом растворителе при воздействии ультразвуковой кавитации. В алмазы превращается до 10 % исходного графита. Себестоимость получения алмазов таким способом сопоставима с HPHT-процессом, но качество получаемых алмазов — заметно хуже. Эта методика синтеза алмазов очень простая, но результаты были получены всего двумя научными группами, и методика пока не имеет промышленного воплощения. На процесс влияет множество параметров, включая подготовку графитовой суспензии, подбор растворителя, источника и режима ультразвуковых колебаний, оптимизация которых может значительно улучшить и удешевить эту технологию получения алмазов[9][22].

Свойства

Традиционно отсутствие кристаллических дефектов — важнейший показатель качества алмаза. Чистота и отсутствие дефектов делают алмаз прозрачным, чистым, а в совокупности с его твёрдостью, химической стойкостью, высокой оптической дисперсией делают алмаз популярным ювелирным камнем. Высокая теплопроводность алмаза важное качество для технических применений. Если высокая оптическая дисперсия характерна для всех алмазов, то остальные его качества зависят от того, в каких условиях он был сделан[23].

Кристаллическая структура

Алмаз может быть одним большим кристаллом (монокристалл), а может состоять из множества сросшихся кристалликов (поликристалл). Большие, бездефектные монокристаллы алмаза обычно пользуются спросом как ювелирные камни. Поликристаллические алмазы, состоящие из множества зерен, хорошо видимых по рассеянию и поглощению света невооружённым глазом, используются в промышленности как режущий инструмент. Поликристаллические алмазы часто классифицируют по среднему размеру зерна в кристалле, который может варьироваться от нанометров до микрометров[24].

Твёрдость

Синтетические алмазы — самое твёрдое из известных веществ[25], если под твёрдостью понимать сопротивление вдавливанию. Твёрдость синтетических алмазов зависит от чистоты, наличия дефектов в кристаллической решетке и её ориентации, достигая максимальной в направлении 111[26]. Твёрдость нанокристаллических алмазов, полученных в CVD-процессе, может составлять от 30 % до 70 % от твёрдости монокристалла алмаза, и контролируется в процессе выращивания в зависимости от требуемого. Некоторые синтетические монокристаллы алмаза и HPHT-нанокристаллические алмазы твёрже всех известных природных алмазов[25][27][28].

Примеси и включения

Каждый алмаз содержит примеси из атомов, отличных от углерода, в количествах, достаточных для определения аналитическими методами. Атомы примесей могут собираться в макроколичества, формируя включения. Примесей обычно избегают, но они могут быть введены намеренно для изменения определённых свойств алмаза. Выращивание алмазов в жидкой среде из металла-растворителя приводит к формированию примесей из переходных металлов (никель, железо, кобальт), которые влияют на электронные свойства алмаза[29][30].

Чистый алмаз является диэлектриком, но небольшая добавка бора делает его электрическим проводником, а при некоторых условиях — даже сверхпроводником[31], что позволяет использовать его в электронных приложениях. Включения азота препятствует движению дислокаций в кристаллической решетке и увеличивают её напряжённость, тем самым повышая твёрдость и вязкость[32].

Теплопроводность

В отличие от большинства изоляторов, алмаз имеет хорошую теплопроводность из-за сильных ковалентных связей в кристалле. Теплопроводность чистого алмаза — наиболее высокая из всех известных. Монокристалл синтетического алмаза, состоящий из 12
C (99,9 %) изотопа, имеет теплопроводность 30 Вт/см·K при комнатной температуре, что в 7,5 раз больше, чем у меди. У природных кристаллов алмаза теплопроводность на 1,1 % ниже из-за примеси изотопа 13
C, вносящего искажения в кристаллическую решетку[33].

Теплопроводность алмаза используется ювелирами для отделения алмазов от их имитаций. Камня касаются специальным медным щупом, имеющем на конце миниатюрный нагреватель и термодатчик. Если алмаз настоящий, он быстро отведёт тепло от нагревателя, что вызовет заметное падение температуры, фиксируемое термодатчиком. Такой тест занимает всего 2-3 секунды[34].

Применение

Режущий инструмент

A polished metal slab embedded with small diamonds
Алмазы на пластинах шлифовального диска

Большинство промышленных применений синтетических алмазов связано именно с их твёрдостью — в качестве сверхтвёрдого режущего инструмента, абразивных порошков, полировальных паст, инденторов для выглаживания. Благодаря твёрдости, превосходящей любой известный материал, алмазы используются для шлифовки любых материалов, даже при огранке самих алмазов[35]. Это самая большая по объёму ниша использования алмазов в промышленности. Хоть природные алмазы тоже могут использоваться для этих целей, синтетические, полученные по HPHT-процессу, популярнее в силу большей однородности свойств и меньшему разбросу параметров. Алмазы непригодны для высокоскоростной обработки стали — при высоких температурах в месте реза углерод из алмаза растворяется в железе, что приводит к ускоренному износу инструмента. Для высокоскоростной обработки сталей используют другие сплавы (ВК8, кубический нитрид бора и т. д.)[36].

Обычно алмазный инструмент имеет спечённое покрытие, в котором микронные зерна алмаза диспергированы в металлической матрице (обычно в кобальте). По мере износа металлическая матрица обнажает все новые и новые зерна алмаза. Несмотря на работы на протяжении нескольких лет по покрытию инструмента алмазным и алмазоподобным слоем (DLC) при помощи CVD-процесса, эта технология не смогла существенно вытеснить классические поликристаллические зерна алмаза в металлической матрице в инструменте[37].

Теплопроводники

Большинство материалов с высокой теплопроводностью обладает также хорошей электропроводностью. Особняком выделяется алмаз, несмотря на огромную теплопроводность, он обладает незначительной электропроводностью. Это сочетание свойств позволяет использовать алмаз как теплоотвод для мощных лазерных диодов, массивов таких диодов или мощных транзисторов. Эффективный отвод тепла увеличивает срок службы электронных устройств, а дороговизна ремонта и замены таких устройств компенсирует дороговизну от использования алмазов в конструкции теплоотвода[38]. Термораспределители (англ. heat spreader) из синтетических алмазов предотвращают перегрев кремния и других полупроводниковых материалов[39].

Оптические материалы

Алмаз твёрдый, химически инертный, обладает высокой теплопроводностью при невысоком линейном коэффициенте расширения, что делает его идеальным материалом для окон вывода инфракрасного и микроволнового излучения. Синтетический алмаз стал вытеснять селенид цинка в качестве выходных окон в мощных CO2 лазерах[40] и гиротронах. Эти синтетические поликристаллические алмазные окна имеют форму дисков большого диаметра (порядка 10 см для гиротронов) и небольшую толщину (для снижения поглощения) и производятся по методу CVD.[41][42]. Единичные кристаллы в виде пластинок размером до 10 мм становятся важными в использовании в некоторых оптических приложениях, включая теплораспределители в лазерных резонаторах, дифракционной оптике и рабочее тело оптических усилителей в рамановских лазерах[43]. Современные улучшения в HPHT- и CVD-синтезе позволили достаточно повысить чистоту и правильность кристаллографической структуры монокристаллов для вытеснения кремния в дифракционных решетках и материала для окон в высокомощных источниках излучения, например, в синхротронах[44][45]. Алмазы, полученные как по CVD-процессу, так и по HPHT-технологии, используются для создания алмазных наковален для изучения свойств веществ при сверхвысоких давлениях[46].

Электроника

Синтетический алмаз потенциально может использоваться как полупроводник[47], так как может легироваться примесями из бора и фосфора. Поскольку эти элементы содержат больше или меньше валентных электронов, чем атомы алмаза, формируются зоны p- и n-проводимости, формируя pn переход. На базе такого pn-перехода были построены светодиоды с длиной выходного УФ-излучения 235 нм[48]. Другое полезное для использовании в электронике свойство синтетического алмаза — высокая подвижность электронов, которая может достигать 4500 см2/(В·с) для электронов в монокристалле CVD-алмаза[49]. Высокая подвижность электронов востребована в высокочастотной технике, продемонстрирована возможность создания полевого транзистора из алмаза с рабочей частотой до 50 ГГц[50][51]. Широкая запрещённая зона алмаза (5,5 эВ) придаёт отличные диэлектрические свойства. В сумме с отличными механическими свойствами на базе алмазов построены прототипы мощных силовых транзисторов для электростанций[52].

Транзисторы на основе синтетических алмазов изготавливаются в лабораториях, но до сих пор нет ни одного коммерческого устройства на их базе. Алмазные транзисторы весьма многообещающие — они могут работать при более высокой температуре, чем кремниевые, сопротивляться радиационному и механическому повреждению[53][54].

Синтетические алмазы уже используются в детекторах излучений. Их радиационная стойкость вкупе с широкой запрещённой зоной (5,5 эВ) делает их интересным материалом для детекторов. Выгодное отличие относительно других полупроводников — отсутствие стабильного оксида. Это делает невозможным создание КМОП-структур, но зато делает возможным работу с УФ-излучениями без проблем с поглощением излучения в окисной плёнке. Алмазы используются в детекторах BaBar на стенфордском линейном ускорителе[55] и BOLD (Blind to the Optical Light Detectors for VUV solar observations)[56][57]. Алмазные VUV-детекторы использовались недавно в европейской программе LYRA.

Ювелирные камни

A colorless faceted gem
Бесцветный бриллиант, вырезанный из алмаза, выращенного по CVD-технологии

Синтетические алмазы ювелирного качества получают как по HPHT-процессу[58], так и по CVD-процессу[59]. Синтетические алмазы доступны в жёлтом, голубом оттенках и в частично бесцветном виде. Жёлтый окрас алмазу придают примеси азота, голубой — примеси бора[60]. Другие цвета, такие как розовый или зелёный, доступны после обработки камня радиоактивным излучением[61][62].

На 2013-14 годы доля (по массе) синтетических алмазов в производстве алмазов для ювелирного рынка, по разным оценкам, составляла от 0,28 %[63] до 2 %[64]. Доля (по цене) синтетических алмазов на рынке ювелирных алмазов с 2016 по 2023 выросла в 12 раз, и на 2023 год оценивалась в 17 %[65], что происходило одновременно с сильным падением цены на синтетические алмазы в ювелирном производстве. В 2015—2016 синтетические алмазы стоили всего на 10-20 % меньше природных[66], однако с этого времени началось постоянное и сильное снижение цен, и на 2023 год синтетический бриллиант стоил уже на 90 % меньше природного[67].

Алмазы ювелирного качества, выращенные в лаборатории, химически, физически, оптически идентичны природным. Интересы горнодобывающих компаний для защиты рынка от синтетических алмазов продвигаются при помощи законодательных, маркетинговых мер, а также защиты дистрибуции[68][69]. Синтетические алмазы могут быть обнаружены при помощи инфракрасной, ультрафиолетовой, рентгеновской спектроскопии. Тестер DiamondView от компании De Beers использует УФ-флуоресценцию для обнаружения примесей азота, никеля и других веществ, характерных для алмазов, полученных по CVD- и HPHT-технологиям[70].

Как минимум одна лаборатория, выращивающая алмазы, объявила о том, что они маркируют свои алмазы при помощи нанесения номера на камень лазером[59]. На сайте компании приведён пример такой маркировки в виде надписи «Gemesis created» и серийного номера с префиксом «LG» (laboratory grown)[71].

В мае 2015 г. компанией «New Diamond Technology» (Санкт-Петербург, Российская Федерация) был поставлен новый мировой рекорд — получен бесцветный бриллиант массой 10,02 карата, выращенный по технологии HPHT, вырезанный из заготовки массой 32,2 карата, выращивавшийся в течение 300 часов[72].

Традиционная алмазодобыча критикуется за нарушение прав человека в Африке и в других местах. Голливудский фильм «Кровавый алмаз» (2006) помог публичной огласке ситуации. Потребительский спрос на синтетические алмазы вырос, так как синтетические алмазы не только дешевле, но и этически более приемлемы[73].

Лабораторно выращенные алмазы продаются под множеством торговых марок, одна из старейших — Gemesis (ныне Pure Grown Diamonds); среди других известных марок — Blue Nile, James Allen, Grown Brilliance, Vrai, Ritani, Clean Origin, With Clarity[74].

Примечания

  1. ↑ Donald W. Olson. 21.2 Diamond, industrial (англ.). 2011 Minerals Yearbook. USGS (март 2013). — «synthetic diamond accounted for about 97% by weight of the industrial diamond used in the united states and about 97% by weight of the industrial diamond used in the world during 2011». Дата обращения: 17 октября 2013. Архивировано 5 марта 2016 года.
  2. ↑ Дмитрий Мамонтов Место рождения алмазов // Популярная механика. — 2016. — № 5. — С. 60—63. — URL: http://www.popmech.ru/technologies/237923-kak-vyrashchivayut-krupneyshie-v-mire-almazy-sdelano-v-rossii/ Архивная копия от 4 января 2017 на Wayback Machine
  3. ↑ 16 °C.F.R. Part 23: Guides For The Jewelry, Precious Metals, and Pewter Industries: Federal Trade Commission Letter Declining To Amend The Guides With Respect To Use Of The Term «Cultured» Архивная копия от 2 апреля 2013 на Wayback Machine, Федеральная торговая комиссия США, 21 июля, 2008.
  4. ↑ Сергей Волков. На столе лежал алмаз… // Техника — молодёжи : журнал. — 1986. — Май. — С. 9. — ISSN 0320-331X.
  5. ↑ 2.1 Синтетический алмаз // Инструменты из сверхтвёрдых материалов / Н. В. Новиков, С. А. Клименко. — 2-е. — М.: «Машиностроение», 2014. — С. 35. — 608 с. — ISBN 978-5-94275-703-8.
  6. ↑ Сергей Волков. На столе лежал алмаз… // Техника — молодёжи : журнал. — 1986. — Май. — С. 9—10. — ISSN 0320-331X.
  7. ↑ 1 2 3 Werner, M; Locher, R. Growth and application of undoped and doped diamond films (англ.) // Rep. Prog. Phys.[англ.] : journal. — 1998. — Vol. 61, no. 12. — P. 1665—1710. — doi:10.1088/0034-4885/61/12/002. — Bibcode: 1998RPPh...61.1665W.
  8. ↑ 1 2 Osawa, E. Recent progress and perspectives in single-digit nanodiamond (англ.) // Diamond and Related Materials[англ.] : journal. — 2007. — Vol. 16, no. 12. — P. 2018—2022. — doi:10.1016/j.diamond.2007.08.008. — Bibcode: 2007DRM....16.2018O.
  9. ↑ 1 2 Galimov, É. M.; Kudin, A. M.; Skorobogatskii, V. N.; Plotnichenko, V. G.; Bondarev, O. L.; Zarubin, B. G.; Strazdovskii, V. V.; Aronin, A. S.; Fisenko, A. V.; Bykov, I. V.; Barinov, A. Yu. Experimental Corroboration of the Synthesis of Diamond in the Cavitation Process (англ.) // Doklady Physics[англ.] : journal. — 2004. — Vol. 49, no. 3. — P. 150—153. — doi:10.1134/1.1710678. — Bibcode: 2004DokPh..49..150G.
  10. ↑ 1 2 HPHT synthesis. International Diamond Laboratories. Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано из оригинала 1 мая 2009 года.
  11. ↑ Barnard, p. 150
  12. ↑ 1 2 Ito, E. Multianvil cells and high-pressure experimental methods, in Treatise of Geophysics (англ.) / G. Schubert. — Elsevier, Amsterdam, 2007. — Vol. 2. — P. 197—230. — ISBN 0-8129-2275-1.
  13. ↑ Hall, H. T. Ultrahigh-Pressure Research: At ultrahigh pressures new and sometimes unexpected chemical and physical events occur (англ.) // Science : journal. — 1958. — Vol. 128, no. 3322. — P. 445—449. — doi:10.1126/science.128.3322.445. — Bibcode: 1958Sci...128..445H. — PMID 17834381. — JSTOR 1756408.
  14. ↑ Loshak, M. G.; Alexandrova, L. I. Rise in the efficiency of the use of cemented carbides as a matrix of diamond-containing studs of rock destruction tool (англ.) // Int. J. Refractory Metals and Hard Materials : journal. — 2001. — Vol. 19. — P. 5—9. — doi:10.1016/S0263-4368(00)00039-1.
  15. ↑ Pal'Yanov, N.; Sokol, A.G.; Borzdov, M.; Khokhryakov, A.F. Fluid-bearing alkaline carbonate melts as the medium for the formation of diamonds in the Earth's mantle: an experimental study (англ.) // Lithos[англ.] : journal. — 2002. — Vol. 60, no. 3—4. — P. 145—159. — doi:10.1016/S0024-4937(01)00079-2. — Bibcode: 2002Litho..60..145P.
  16. ↑ 1 2 Koizumi, S.; Nebel, C. E.; Nesladek, M. Physics and Applications of CVD Diamond (неопр.). — Wiley VCH, 2008. — С. 50; 200—240. — ISBN 3-527-40801-0.
  17. ↑ Barjon, J.; Rzepka, E.; Jomard, F.; Laroche, J.-M.; Ballutaud, D.; Kociniewski, T.; Chevallier, J. Silicon incorporation in CVD diamond layers (англ.) // Physica Status Solidi (a)[англ.] : journal. — 2005. — Vol. 202, no. 11. — P. 2177—2181. — doi:10.1002/pssa.200561920. — Bibcode: 2005PSSAR.202.2177B.
  18. ↑ State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XXXIX and Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics and Electronics IV: proceedings of the Electrochemical Society (англ.) / Kopf, R. F.. — The Electrochemical Society, 2003. — Vol. 2003–2011. — P. 363. — ISBN 1-56677-391-1.
  19. ↑ Iakoubovskii, K.; Baidakova, M.V.; Wouters, B.H.; Stesmans, A.; Adriaenssens, G.J.; Vul', A.Ya.; Grobet, P.J. Structure and defects of detonation synthesis nanodiamond (англ.) // Diamond and Related Materials[англ.] : journal. — 2000. — Vol. 9, no. 3—6. — P. 861—865. — doi:10.1016/S0925-9635(99)00354-4. — Bibcode: 2000DRM.....9..861I. Архивировано 22 декабря 2015 года.
  20. ↑ Decarli, P. and Jamieson, J.; Jamieson. Formation of Diamond by Explosive Shock (англ.) // Science. — 1961. — June (vol. 133, no. 3467). — P. 1821—1822. — doi:10.1126/science.133.3467.1821. — Bibcode: 1961Sci...133.1821D. — PMID 17818997.
  21. ↑ Dolmatov, V. Yu. Development of a rational technology for synthesis of high-quality detonation nanodiamonds (англ.) // Russian Journal of Applied Chemistry : journal. — 2006. — Vol. 79, no. 12. — P. 1913—1918. — doi:10.1134/S1070427206120019.
  22. ↑ Khachatryan, A.Kh.; Aloyan, S.G.; May, P.W.; Sargsyan, R.; Khachatryan, V.A.; Baghdasaryan, V.S. Graphite-to-diamond transformation induced by ultrasonic cavitation (англ.) // Diam. Relat. Mater.[англ.] : journal. — 2008. — Vol. 17, no. 6. — P. 931—936. — doi:10.1016/j.diamond.2008.01.112. — Bibcode: 2008DRM....17..931K.
  23. ↑ Spear and Dismukes, pp. 308—309
  24. ↑ Zoski, Cynthia G. Handbook of Electrochemistry (неопр.). — Elsevier, 2007. — С. 136. — ISBN 0-444-51958-0.
  25. ↑ 1 2 Blank, V.; Popov, M.; Pivovarov, G.; Lvova, N.; Gogolinsky, K.; Reshetov, V. Ultrahard and superhard phases of fullerite C60: comparison with diamond on hardness and wear (англ.) // Diamond and Related Materials[англ.] : journal. — 1998. — Vol. 7, no. 2—5. — P. 427—431. — doi:10.1016/S0925-9635(97)00232-X. — Bibcode: 1998DRM.....7..427B. Архивировано 21 июля 2011 года.
  26. ↑ Neves, A. J.; Nazaré, M. H. Properties, Growth and Applications of Diamond (англ.). — IET, 2001. — P. 142—147. — ISBN 0-85296-785-3.
  27. ↑ Sumiya, H. Super-hard diamond indenter prepared from high-purity synthetic diamond crystal (англ.) // Rev. Sci. Instrum.[англ.] : journal. — 2005. — Vol. 76, no. 2. — P. 026112—026112—3. — doi:10.1063/1.1850654. — Bibcode: 2005RScI...76b6112S.
  28. ↑ Yan, Chih-Shiue; Mao, Ho-Kwang; Li, Wei; Qian, Jiang; Zhao, Yusheng; Hemley, Russell J. Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition (англ.) // Physica Status Solidi (a)[англ.] : journal. — 2005. — Vol. 201, no. 4. — P. R25. — doi:10.1002/pssa.200409033. — Bibcode: 2004PSSAR.201R..25Y.
  29. ↑ Larico, R.; Justo, J. F.; Machado, W. V. M.; Assali, L. V. C. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond (англ.) // Physical Review B : journal. — 2009. — Vol. 79, no. 11. — P. 115202. — doi:10.1103/PhysRevB.79.115202. — Bibcode: 2009PhRvB..79k5202L. — arXiv:1208.3207.
  30. ↑ Assali, L. V. C.; Machado, W. V. M.; Justo, J. F. 3d transition metal impurities in diamond: electronic properties and chemical trends (англ.) // Physical Review B : journal. — 2011. — Vol. 84, no. 15. — P. 155205. — doi:10.1103/PhysRevB.84.155205. — Bibcode: 2011PhRvB..84o5205A. — arXiv:1307.3278.
  31. ↑ Ekimov, E. A.; Sidorov, V. A.; Bauer, E. D.; Mel'Nik, N. N.; Curro, N. J.; Thompson, J. D.; Stishov, S. M. Superconductivity in diamond (англ.) // Nature. — 2004. — Vol. 428, no. 6982. — P. 542—545. — doi:10.1038/nature02449. — Bibcode: 2004Natur.428..542E. — arXiv:cond-mat/0404156. — PMID 15057827. Архивировано 7 июня 2011 года.
  32. ↑ Catledge, S. A.; Vohra, Yogesh K. Effect of nitrogen addition on the microstructure and mechanical properties of diamond films grown using high-methane concentrations (англ.) // Journal of Applied Physics : journal. — 1999. — Vol. 86. — P. 698. — doi:10.1063/1.370787. — Bibcode: 1999JAP....86..698C.
  33. ↑ Wei, Lanhua; Kuo, P.; Thomas, R.; Anthony, T.; Banholzer, W. Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1993. — Vol. 70, no. 24. — P. 3764—3767. — doi:10.1103/PhysRevLett.70.3764. — Bibcode: 1993PhRvL..70.3764W. — PMID 10053956.
  34. ↑ Wenckus, J. F. (December 18, 1984) «Method and means of rapidly distinguishing a simulated diamond from natural diamond» U.S. Patent 4 488 821
  35. ↑ Holtzapffel, C. Turning And Mechanical Manipulation (неопр.). — Holtzapffel[англ.], 1856. — С. 176—178. — ISBN 1-879335-39-5.
  36. ↑ Coelho, R.T.; Yamada, S.; Aspinwall, D.K.; Wise, M.L.H. The application of polycrystalline diamond (PCD) tool materials when drilling and reaming aluminum-based alloys including MMC (англ.) // International Journal of Machine Tools and Manufacture : journal. — 1995. — Vol. 35, no. 5. — P. 761—774. — doi:10.1016/0890-6955(95)93044-7.
  37. ↑ Ahmed, W.; Sein, H.; Ali, N.; Gracio, J.; Woodwards, R. Diamond films grown on cemented WC-Co dental burs using an improved CVD method (англ.) // Diamond and Related Materials[англ.] : journal. — 2003. — Vol. 12, no. 8. — P. 1300—1306. — doi:10.1016/S0925-9635(03)00074-8. — Bibcode: 2003DRM....12.1300A.
  38. ↑ Sakamoto, M.; Endriz, J. G.; Scifres, D. R. 120 W CW output power from monolithic AlGaAs (800 nm) laser diode array mounted on diamond heatsink (англ.) // Electronics Letters[англ.] : journal. — 1992. — Vol. 28, no. 2. — P. 197—199. — doi:10.1049/el:19920123.
  39. ↑ Ravi, Kramadhati V. et al. (August 2, 2005) «Diamond-silicon hybrid integrated heat spreader» U.S. Patent 6 924 170
  40. ↑ Harris, D. C. Materials for infrared windows and domes: properties and performance (англ.). — SPIE Press, 1999. — P. 303—334. — ISBN 0-8194-3482-5.
  41. ↑ The diamond window for a milli-wave zone high power electromagnetic wave output (англ.) // New Diamond : journal. — 1999. — Vol. 15. — P. 27. — ISSN 1340-4792.
  42. ↑ Nusinovich, G. S. Introduction to the physics of gyrotrons (неопр.). — JHU Press, 2004. — С. 229. — ISBN 0-8018-7921-3.
  43. ↑ Mildren, Richard P.; Sabella, Alexander; Kitzler, Ondrej; Spence, David J. and McKay, Aaron M. Ch. 8 Diamond Raman Laser Design and Performance // Optical Engineering of Diamond (неопр.) / Mildren, Rich P. and Rabeau, James R.. — Wiley. — С. 239—276. — ISBN 978-352764860-3. — doi:10.1002/9783527648603.ch8.
  44. ↑ Khounsary, Ali M.; Smither, Robert K.; Davey, Steve; Purohit, Ankor; Smither; Davey; Purohit. Diamond Monochromator for High Heat Flux Synchrotron X-ray Beams (англ.) // Proc. SPIE : journal / Khounsary, Ali M.. — 1992. — Vol. High Heat Flux Engineering. — P. 628—642. — doi:10.1117/12.140532. — Bibcode: 1993SPIE.1739..628K. Архивировано 17 сентября 2008 года.
  45. ↑ Heartwig, J. Diamonds for Modern Synchrotron Radiation Sources. European Synchrotron Radiation Facility (13 сентября 2006). Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано из оригинала 24 марта 2015 года.
  46. ↑ Jackson, D. D.; Aracne-Ruddle, C.; Malba, V.; Weir, S. T.; Catledge, S. A.; Vohra, Y. K. Magnetic susceptibility measurements at high pressure using designer diamond anvils (англ.) // Rev. Sci. Instrum.[англ.] : journal. — 2003. — Vol. 74, no. 4. — P. 2467. — doi:10.1063/1.1544084. — Bibcode: 2003RScI...74.2467J.
  47. ↑ Denisenko, A. and Kohn, E.; Kohn. Diamond power devices. Concepts and limits (англ.) // Diamond and Related Materials[англ.] : journal. — 2005. — Vol. 14, no. 3—7. — P. 491—498. — doi:10.1016/j.diamond.2004.12.043. — Bibcode: 2005DRM....14..491D.
  48. ↑ Koizumi, S.; Watanabe, K; Hasegawa, M; Kanda, H. Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction (англ.) // Science. — 2001. — Vol. 292, no. 5523. — P. 1899—1901. — doi:10.1126/science.1060258. — Bibcode: 2001Sci...292.1899K. — PMID 11397942.
  49. ↑ Isberg, J.; Hammersberg, J; Johansson, E; Wikström, T; Twitchen, DJ; Whitehead, AJ; Coe, SE; Scarsbrook, G. A. High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond (англ.) // Science : journal. — 2002. — Vol. 297, no. 5587. — P. 1670—1672. — doi:10.1126/science.1074374. — Bibcode: 2002Sci...297.1670I. — PMID 12215638.
  50. ↑ Russell, S. A. O.; Sharabi, S.; Tallaire, A.; Moran, D. A. J. Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors With Cutoff Frequency of 53 GHz (англ.) // IEEE Electron Device Letters : journal. — 2012. — 1 October (vol. 33, no. 10). — P. 1471—1473. — doi:10.1109/LED.2012.2210020. — Bibcode: 2012IEDL...33.1471R.
  51. ↑ Ueda, K.; Kasu, M.; Yamauchi, Y.; Makimoto, T.; Schwitters, M.; Twitchen, D. J.; Scarsbrook, G. A.; Coe, S. E. Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz (англ.) // IEEE Electron Device Letters : journal. — 2006. — 1 July (vol. 27, no. 7). — P. 570—572. — doi:10.1109/LED.2006.876325. — Bibcode: 2006IEDL...27..570U.
  52. ↑ Isberg, J.; Gabrysch, M.; Tajani, A.; Twitchen, D.J. High-field Electrical Transport in Single Crystal CVD Diamond Diodes (англ.) // Advances in Science and Technology : journal. — 2006. — Vol. 48. — P. 73—76. — doi:10.4028/www.scientific.net/AST.48.73.
  53. ↑ Railkar, T. A.; Kang, W. P.; Windischmann, Henry; Malshe, A. P.; Naseem, H. A.; Davidson, J. L.; Brown, W. D. A critical review of chemical vapor-deposited (CVD) diamond for electronic applications (англ.) // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences : journal. — 2000. — Vol. 25, no. 3. — P. 163—277. — doi:10.1080/10408430008951119. — Bibcode: 2000CRSSM..25..163R.
  54. ↑ Salisbury, David (August 4, 2011) «Designing diamond circuits for extreme environments» Архивная копия от 18 ноября 2011 на Wayback Machine, Vanderbilt University Research News. Retrieved May 27, 2015.
  55. ↑ Bucciolini, M.; Borchi, E; Bruzzi, M; Casati, M; Cirrone, P; Cuttone, G; Deangelis, C; Lovik, I; Onori, S; Raffaele, L.; Sciortino, S. Diamond dosimetry: Outcomes of the CANDIDO and CONRADINFN projects (англ.) // Nuclear Instruments and Methods A[англ.] : journal. — 2005. — Vol. 552. — P. 189—196. — doi:10.1016/j.nima.2005.06.030. — Bibcode: 2005NIMPA.552..189B.
  56. ↑ Blind to the Optical Light Detectors. Royal Observatory of Belgium. Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано 21 июня 2009 года.
  57. ↑ Benmoussa, A; Soltani, A; Haenen, K; Kroth, U; Mortet, V; Barkad, H A; Bolsee, D; Hermans, C; Richter, M; De Jaeger, J C; Hochedez, J F. New developments on diamond photodetector for VUV Solar Observations (англ.) // Semiconductor Science and Technology[англ.] : journal. — 2008. — Vol. 23, no. 3. — P. 035026. — doi:10.1088/0268-1242/23/3/035026. — Bibcode: 2008SeScT..23c5026B.
  58. ↑ Abbaschian, Reza; Zhu, Henry; Clarke, Carter. High pressure-high temperature growth of diamond crystals using split sphere apparatus (англ.) // Diam. Rel. Mater. : journal. — 2005. — Vol. 14, no. 11—12. — P. 1916—1919. — doi:10.1016/j.diamond.2005.09.007. — Bibcode: 2005DRM....14.1916A.
  59. ↑ 1 2 Yarnell, Amanda. The Many Facets of Man-Made Diamonds (англ.) // Chemical & Engineering News[англ.] : journal. — American Chemical Society, 2004. — 2 February (vol. 82, no. 5). — P. 26—31. — doi:10.1021/cen-v082n005.p026. Архивировано 28 октября 2008 года.
  60. ↑ Burns, R. C.; Cvetkovic, V. and Dodge, C. N.; Cvetkovic; Dodge; Evans; Rooney. Growth-sector dependence of optical features in large synthetic diamonds (англ.) // Journal of Crystal Growth : journal. — 1990. — Vol. 104, no. 2. — P. 257—279. — doi:10.1016/0022-0248(90)90126-6. — Bibcode: 1990JCrGr.104..257B.
  61. ↑ Walker, J. Optical absorption and luminescence in diamond (англ.) // Rep. Prog. Phys.[англ.] : journal. — 1979. — Vol. 42, no. 10. — P. 1605—1659. — doi:10.1088/0034-4885/42/10/001. — Bibcode: 1979RPPh...42.1605W.
  62. ↑ Collins, A.T.; Connor, A.; Ly, C-H.; Shareef, A.; Spear, P.M. High-temperature annealing of optical centers in type-I diamond (англ.) // Journal of Applied Physics : journal. — 2005. — Vol. 97, no. 8. — P. 083517. — doi:10.1063/1.1866501. — Bibcode: 2005JAP....97h3517C.
  63. ↑ Synthetic Diamonds – Promoting Fair Trade. gjepc.org. The Gem & Jewellery Export Promotion Council. Дата обращения: 12 февраля 2016. Архивировано 13 июля 2014 года.
  64. ↑ How High Quality Synthetic Diamonds Will Impact the Market (12 июля 2013). Дата обращения: 17 декабря 2024.
  65. ↑ "How 2023 became the year of the lab-grown diamond". CNN. 26 октября 2023. Дата обращения: 17 декабря 2024.
  66. ↑ Zimnisky, Paul. A New Diamond Industry (англ.). Mining Journal (London). The Mining Journal (trade magazine) (9 января 2017). Дата обращения: 31 декабря 2017. Архивировано 13 января 2017 года.
  67. ↑ "The lab-grown diamond boom is over". Insider Inc. 1 ноября 2024. Дата обращения: 17 декабря 2024.
  68. ↑ "De Beers pleads guilty in price fixing case" (англ.). Associated Press via MSNBC.com. 13 июля 2004. Архивировано 5 ноября 2012. Дата обращения: 27 мая 2015. {{cite news}}: |archive-date= / |archive-url= несоответствие временной метки; предлагается 5 ноября 2012 (справка)
  69. ↑ Pressler, Margaret Webb (14 июля 2004). "DeBeers Pleads to Price-Fixing: Firm Pays $10 million, Can Fully Reenter U.S." Washington Post (англ.). Архивировано 12 ноября 2012. Дата обращения: 26 ноября 2008. {{cite news}}: |archive-date= / |archive-url= несоответствие временной метки; предлагается 12 ноября 2012 (справка)
  70. ↑ O’Donoghue, p. 115
  71. ↑ Laboratory Grown Diamond Report Архивная копия от 21 октября 2012 на Wayback Machine for Gemesis diamond, International Gemological Institute, 2007. Retrieved May 27, 2015.
  72. ↑ Company Grows 10 Carat Synthetic Diamond Архивная копия от 1 июня 2015 на Wayback Machine. Jckonline.com (May 27, 2015). (англ.).
  73. ↑ Murphy, Hannah; Biesheuvel, Thomas; Elmquist, Sonja (August 27, 2015) «Want to Make a Diamond in Just 10 Weeks? Use a Microwave» Архивная копия от 30 сентября 2018 на Wayback Machine, Businessweek (англ.)
  74. ↑ "The Best Lab-Grown Diamonds That Are High-Quality And Sustainable". Forbes. 11 декабря 2024. Дата обращения: 17 декабря 2024.

Read other articles:

Metaescaline

Metaescaline Names Preferred IUPAC name 2-(3-Ethoxy-4,5-dimethoxyphenyl)ethan-1-amine Identifiers CAS Number 90132-31-3 Y 3D model (JSmol) Interactive image ChEMBL ChEMBL126963 Y ChemSpider 21106344 Y PubChem CID 44350068 UNII M4HNS35MM2 Y CompTox Dashboard (EPA) DTXSID30658376 InChI InChI=1S/C12H19NO3/c1-4-16-11-8-9(5-6-13)7-10(14-2)12(11)15-3/h7-8H,4-6,13H2,1-3H3 YKey: HNBAVLIQFTYMAX-UHFFFAOYSA-N YInChI=1/C12H19NO3/c1-4-16-11-8-9(5-6-13)7-10(14-2)12(11)15...

 

Via Flaminia

Ancient Roman road Via FlaminiaThe road in CarsulaeAlternative nameFlaminian WayLocationRome to RiminiTypeRoman roadHistoryBuilderRoman Republic, Gaius Flaminius, Roman censorPeriods220 BCE Route of the Via Flaminia; the purple route indicates the Via Flaminia Nova. The orange route indicates the variant that crosses the central part of the Marches and reaches the Adriatic in Ancona The Via Flaminia (lit. 'Flaminian Way') was an ancient Roman road leading from Rome over the Ape...

 

Gunung Sahari Utara, Sawah Besar, Jakarta Pusat

Gunung Sahari UtaraKelurahanNegara IndonesiaProvinsiDaerah Khusus Ibukota JakartaKota AdministrasiJakarta PusatKecamatanSawah BesarKodepos10720Kode Kemendagri31.71.02.1004 Kode BPS3173070002 Luas1.90 km2Jumlah penduduk19,690Kepadatan- Gunung Sahari Tempo Dulu Kelurahan Gunung Sahari Utara, Sawah Besar memiliki kode pos 10720 Kelurahan ini terletak di kecamatan Sawah Besar, Jakarta Pusat. Kelurahan ini memiliki penduduk sebesar 19,690 jiwa dan luas 1.90 km2. Kelurahan ini berbatasan ...

Organ Cave

Historic cave Organ CaveThe main historical (and commercial) entrance to Organ CaveOrgan CaveLocation of Organ Cave in West VirginiaFloor elevation2,188 ft (667 m)Length38.452 miles (61.882 km)GeographyLocationUnited States, West Virginia, GreenbrierCoordinates37°43′05″N 80°26′13″W / 37.71806°N 80.43694°W / 37.71806; -80.43694  The eponymous organ formation in Organ Cave Salt petre vats in Organ Cave Organ Cave is a large and historic c...

 

Abbaye de Westminster

Ne doit pas être confondue avec la toute proche cathédrale de Westminster. Abbaye de Westminster Tours du portail ouest. Présentation Nom local Westminster AbbeyThe Collegiate Church of St Peter Culte Anglican Type Collégiale Rattachement Couronne britannique Début de la construction XIIIe siècle Fin des travaux XVIe siècle Style dominant Gothique Protection Monument classé, grade I Patrimoine mondial (1987) Site web westminster-abbey.org Géographie Pays Royaume-...

 

The Redhead and the Cowboy

1951 film by Leslie Fenton The Redhead and the CowboyTheatrical release posterDirected byLeslie FentonWritten byJonathan LatimerLiam O'BrienProduced byIrving AsherStarringRhonda FlemingGlenn FordEdmond O'BrienCinematographyDaniel FappEdited byArthur P. SchmidtMusic byDavid ButtolphDistributed byParamount PicturesRelease date March 15, 1951 (1951-03-15) (Los Angeles) Running time82 minutesCountryUnited StatesLanguageEnglishBox office$1.25 million (US rentals)[1] The ...

Renee Magee

American swimmer Renee MageeEarly years, circa mid-70'sPersonal informationFull nameHolly Renee MageeRenee TuckerNational teamUnited StatesBorn(1959-03-30)March 30, 1959Texas City, TexasDiedJuly 13, 2022(2022-07-13) (aged 63)[1]Humble, TX[1]Height5 ft 11 in (1.80 m)Weight146 lb (66 kg)SpouseJames TuckerChildren2SportSportSwimmingStrokesBackstrokeClubBellevue Swim Club (Nebraska)Dad's Swim Club (Houston)College teamUniversity of North Car...

 

周處除三害 (電影)

周處除三害The Pig, The Snake and The Pigeon正式版海報基本资料导演黃精甫监制李烈黃江豐動作指導洪昰顥编剧黃精甫主演阮經天袁富華陳以文王淨李李仁謝瓊煖配乐盧律銘林孝親林思妤保卜摄影王金城剪辑黃精甫林雍益制片商一種態度電影股份有限公司片长134分鐘产地 臺灣语言國語粵語台語上映及发行上映日期 2023年10月6日 (2023-10-06)（台灣） 2023年11月2日 (2023-11-02)（香�...

 

Communication Univ of China station

Beijing Subway station Communication Univ. of China[1]传媒大学Westbound platform after the through operation to Line 1 in 2021General informationOther namesDingfuzhuang station (initial plan), Broadcasting Institute station (2003–2007)[2]LocationChaoyang District, BeijingChinaOperated byBeijing Mass Transit Railway Operation Corporation LimitedLine(s)     Batong line (through operation to Line 1)Platforms2 (2 side platforms)Tracks2Constructio...

Government of Florida

Government of a U.S. state Government of FloridaGreat Seal of the State of FloridaPolity typeSub-national administrative division (federated state)Part ofUnited States of AmericaConstitutionConstitution of FloridaLegislative branchNameLegislatureTypeBicameralMeeting placeFlorida CapitolUpper houseNameSenatePresiding officerKathleen Passidomo, PresidentLower houseNameHouse of RepresentativesPresiding officerPaul Renner, SpeakerExecutive branchHead of State and GovernmentTitleGovernorCurrentlyR...

 

Nature Chemistry

Academic journalNature ChemistryDisciplineChemistryLanguageEnglishEdited byStuart CantrillPublication detailsHistory2009–presentPublisherNature PortfolioFrequencyMonthlyOpen accessHybridImpact factor21.8 (2022)Standard abbreviationsISO 4 (alt) · Bluebook (alt1 · alt2)NLM (alt) · MathSciNet (alt )ISO 4Nat. Chem.IndexingCODEN (alt · alt2) · JSTOR (alt) · LCCN (alt)MIAR · NLM (alt) ·...

 

تعداد السكان

توزيع سكان العالم عام 1994 يشير تعداد السكان عادةً إلى عدد الأشخاص في منطقة واحدة سواء كانت مدينة أو بلدة أو منطقة أو بلدًا أو العالم.[1][2][3] تحدد الحكومات عادةً حجم السكان المقيمين ضمن ولايتها القضائية من خلال عملية تسمى التعداد (عملية لجمع وتحليل وتجميع ونشر الب�...

Fort Slocum (Washington, D.C.)

This article is about the fort in the Civil War Defenses of Washington, DC. For the fort in New York, see Fort Slocum. Fort SlocumPart of the Civil War defenses of Washington, D.C.Manor Park, Washington, D.C. A view of the woods at the park, November 2023Fort SlocumCoordinates38°57′36.7″N 77°00′38.9″W / 38.960194°N 77.010806°W / 38.960194; -77.010806TypeEarthwork fortSite informationControlled byUnion ArmyConditionResidential AreaSite historyBuilt1861B...

 

Laudo Hayes Firm Day

Annual provincial holiday in Paraguay Laudo Hayes Firm Day is an annual provincial holiday in a department of Paraguay celebrated annually on November 12.[1] It commemorates U.S. President Rutherford B. Hayes' intervention in an international border dispute between Paraguay and Argentina, arbitrated in favor of Paraguay. The area that became Presidente Hayes Department with its capital city of Villa Hayes was named for the U.S. president who awarded an area that comprises 60 percent o...

 

Carlos Tévez

Disambiguazione – Tévez rimanda qui. Se stai cercando altri significati, vedi Tévez (disambigua). Carlos TévezTévez in nazionale nel 2014Nazionalità Argentina Altezza173 cm Peso75 kg Calcio RuoloAllenatore (ex attaccante) Termine carriera4 giugno 2022 - giocatore CarrieraGiovanili 1992-1996 All Boys1997-2001 Boca Juniors Squadre di club1 2001-2004 Boca Juniors75 (26)2005-2006 Corinthians38 (25)[1]2006-2007 West Ham Utd26 (7)2007-2009 ...

Brentonico

Brentonico komune di Italia Brentonico (it) Tempat Negara berdaulatItaliaDaerah otonom dengan status istimewaTrentino-Tirol SelatanProvinsi di ItaliaTrentino NegaraItalia Ibu kotaBrentonico PendudukTotal4.077  (2023 )GeografiLuas wilayah57,14 km² [convert: unit tak dikenal]Ketinggian698 m Berbatasan denganAla Avio Malcesine (en) Mori, Italia Nago-Torbole Informasi tambahanKode pos38060 Zona waktuUTC+1 UTC+2 Kode telepon0464 ID ISTAT022025 Kode kadaster ItaliaB153 Lain-lainSitus web...

 

Pariwisata di Sydney

Pariwisata di Sydney, Australia membentuk bagian penting dari ekonomi kota. Kota ini menerima 22.6 juta pengunjung domestik dan 2.7 juta pengunjung internasional pada akhir tahun Desember 2009.[1] Tempat wisata paling terkenal ialah Sydney Opera House dan Sydney Harbour Bridge. Tempat-tempat wisata lainnya yaitu Royal Botanical Gardens, Luna Park, pantai di Sydney dan Sydney Tower.[2] Sydney Opera House pada malam hari Promosi pariwisata Pemerintah New South Wales mengoperasik...

 

First Koizumi Cabinet

First Koizumi Cabinet87th Cabinet of JapanPrime Minister Junichiro Koizumi (front row, centre) with his new cabinet inside the Kantei, April 26, 2001Date formedApril 26, 2001Date dissolvedNovember 19, 2003People and organisationsHead of stateEmperor AkihitoHead of governmentJunichiro KoizumiMember partyLDP-NKP-NCP coalitionStatus in legislatureCoalition majorityOpposition partyDemocratic Party of JapanOpposition leaderYukio Hatoyama (2001-2002) Naoto Kan (2002-2003)HistoryElection2001 council...

William Timothy Cape

Australian politician William Timothy Cape was an early school master in Sydney, Australia William Timothy Cape (25 October 1806 – 4 June 1863) was an early school master in Sydney, Australia; several of the Premiers of New South Wales attended his school. Cape was born at Walworth, Surrey, England, the son of William Cape, a London bank manager who emigrated to Australia with his family in 1821. Cape senior became master of a private school, the Sydney Academy, at the end of 1822 and died ...

 

Energy Cities

This article relies excessively on references to primary sources. Please improve this article by adding secondary or tertiary sources. Find sources: Energy Cities – news · newspapers · books · scholar · JSTOR (September 2010) (Learn how and when to remove this message)This article needs additional citations for verification. Please help improve this article by adding citations to reliable sources. Unsourced material may be challenged and removed.Find s...