Василий Иванович Швейкин
Дата рождения	4 февраля 1935(1935-02-04)
Место рождения	Москва
Дата смерти	4 января 2018(2018-01-04) (82 года)
Род деятельности	учёный
Научная сфера	полупроводниковые лазеры
Место работы	НИИ «Полюс» имени М. Ф. Стельмаха, МИРЭА
Альма-матер	физический факультет МГУ
Учёная степень	д.т.н.
Учёное звание	профессор
Награды и премии

Василий Иванович Швейкин (04.02.1935 — 04.01.2018) — советский и российский учёный, родоначальник направления полупроводниковых лазеров в НИИ «Полюс» имени М. Ф. Стельмаха, доктор технических наук, профессор, лауреат Ленинской премии.

Родился 4 февраля 1935 года в Москве.

Окончил физфак МГУ (1958) и его аспирантуру, в 1961 г. защитил кандидатскую диссертацию. Работал там же младшим научным сотрудником. Предложил способ создания ижекционных лазеров на полупроводниковых структурах (авторское свидетельство с приоритетом от 25.11.1961).

С октября 1962 по 2003 год — в НИИ «Полюс»: младший научный сотрудник, старший научный сотрудник - начальник лаборатории (1963), начальник отделения полупроводниковых лазеров (1974—1994), с 2001 главный научный сотрудник.

Под его руководством в 1965 году созданы первые промышленный лазерный диод ЛД-1 и полупроводниковый квантовый генератор «Комета».

С 1978 по 1990 г. главный конструктор направления полупроводниковых лазеров Министерства электронной промышленности СССР.

Основатель базовой кафедры МИРЭА при НИИ «Полюс» и её первый заведующий. Доктор технических наук, профессор.

Умер 4 января 2018 г. после тяжёлой и продолжительной болезни.

• Ленинская премия (1972, в составе авторского коллектива) - за разработку и освоение полупроводниковых лазеров.
• Орден Трудового Красного Знамени
• медали.

• Памяти Василия Ивановича Швейкина // Квантовая электроника, 48:3 (2018), 290
• https://www.polyus.info/company/books/nii-polyus-50-let/chapter14/
• http://www.photonics.su/files/article_pdf/3/article_3586_406.pdf
• Швейкин, Василий Иванович на математическом портале Math-Net.Ru