В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). Информация должна быть проверяема, иначе она может быть удалена. Вы можете отредактировать статью, добавив ссылки на авторитетные источники в виде сносок. (25 сентября 2021)

Потоло́к вале́нтной зо́ны — самое высокое по энергии состояние в валентной зоне полупроводника, а также энергия этого состояния. Состояние задаётся волновым вектором электрона ${\displaystyle {\vec {k}}_{v0}}$, а энергия имеет стандартное обозначение ${\displaystyle E_{v}}$.

Потолок валентной зоны обычно находится в центре зоны Бриллюэна (в Γ-точке) и является вырожденным, так как там происходит касание двух ветвей дисперсионного соотношения ${\displaystyle E({\vec {k}})}$, связывающего энергию электрона (дырки) и волновой вектор.

Для органических полупроводников, вместо термина «потолок валентной зоны», используется понятие самая высокая занятая молекулярная орбиталь (англ. HOMO: highest occupied molecular orbital).

Если дно зоны проводимости и потолок валентной зоны полупроводника находятся в одной и той же точке зоны Бриллюэна (${\displaystyle {\vec {k}}_{c0}={\vec {k}}_{v0}}$, обычно = 0), такой материал называется прямозонным (пример: GaAs), а если в разных — непрямозонным (пример: Si).

• Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твёрдого тела: В двух томах / М.И Каганов. — М.: Мир, 1979. — 399 с.

• Ч. Киттель. Введение в физику твёрдого тела. — М.: Наука, 1978.