Rysunek 1: a) Pętla histerezy warstwy F1, b) Pętla histerezy warstwy F2, c) efektywna pętla histerezy układu F1/N/F2, strzałki czerwone oznaczają kierunki namagnesowań warstwy F1, strzałki niebieskie kierunki namagnesowań warstwy F2 d) magnetoopór pseudo-zaworu spinowego
Pseudozawór spinowy(PSV – pseudo spin valve) to układ warstwowy typu F1/NF/F2, gdzie F1 i F2 są warstwami ferromagnetycznymi, mającymi różne pola koercji a NF jest przekładką nieferromagnetyczną. Ferromagnetyk F1 jest materiałem twardym magnetycznie charakteryzującym się szeroką pętlą histerezy magnetycznej, natomiast ferromagnetyk F2 jest materiałem miękkim magnetycznie z wąską pętlą histerezy. Na rys. 1. przedstawiono pętle histerezy warstw F1 i F2, o polach koercji HC(1) > HC(2), oraz pętle histerezy całego układu, czyli pseudozaworu spinowego. Na rysunku tym widać, że wysoka wartość oporu odpowiadająca antyrównoległej konfiguracji namagnesowania warstw F1 i F2, występuje dla -HC(1)≤H≤-HC(2), dla wartości pola magnetycznego zmieniających się od wartości dodatnich do ujemnych oraz dla HC(2)≤H≤HC(1), dla H zmieniających się od ujemnych do dodatnich wartości.
W pseudozaworach spinowych, podobnie jak w zaworach spinowych grubość subwarstw przekładki nieferromagnetycznej NF musi być tak dobrana, by z jednej strony zagwarantować niezależne przemagnesowanie (powinno występować możliwie małe sprzężenie międzywarstwowe) warstw ferromagnetycznych F1 i F2 oraz możliwie dużą wartość GMR.
Pseudozawory spinowe znajdują zastosowanie w magnetycznych pamięciach MRAM.
