다중 채널 메모리 구조(multi-channel memory architecture)는 동적 램(DRAM)과 메모리 컨트롤러 사이에 통신 채널을 하나 이상 더 추가하여 데이터 전송 속도를 빠르게 하는 기술이다. 듀얼 채널과 트리플 채널, 쿼드 채널 등이 여기에 속한다.
듀얼 채널
듀얼 채널(dual channel) 아키텍처는 램에서 메모리 컨트롤러를 거치는 데이터를 두 배로 만드는 기술을 말한다. 듀얼 채널을 사용하는 메모리 컨트롤러는 두 개의 64비트 데이터 채널을 이용함으로써 램에서 CPU로 데이터를 이동할 때 128비트의 대역을 활용할 수 있다. DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM에서 이 기술을 사용하고 있다.
목적
CPU, RAM, 다른 주변 기기 사이의 병목 현상에 대해 그린 그림
듀얼 채널 기술은 병목 문제를 해결하는 것이 그 목적이다. 프로세서의 속도가 빨라지면서 다른 부품들의 상대적으로 낮은 속도는 시스템 병목의 원인으로 지적되어 왔다. 싱글 채널 구조에서 메모리 속도보다 더 빠른 버스 속도를 가진 CPU는 병목 현상의 가능성이 크다. 듀얼 채널 설계는 CPU와 시스템 메모리 사이의 데이터 흐름을 관장하는 메모리 컨트롤러를 개선하여 병목을 제거하기 위해 개발되었다. 메모리 컨트롤러는 램의 종류와 속도뿐 아니라 각 메모리 모듈의 최대 크기와 전반적인 시스템 메모리의 최대 용량까지도 결정한다.
듀얼 채널 구성은 사용할 수 있는 메모리 대역의 양을 두 배로 함으로써 문제를 줄일 수 있다. 메모리 컨트롤러는 하나의 메모리 채널이 아닌, 두 번째의 병렬 채널로 구성되며 두 개의 채널이 동시에 동작함으로써 대역폭을 높인다. 메모리 기술의 변경 없이도, 듀얼 채널 구조는 기존의 램 기술을 활용하여 메모리 관리 방식을 개선한다. 인텔과 AMD 듀얼 채널 적용 방식은 다를 수 있지만, 기본적인 이론은 동일하다.
실제 결과
탐스 하드웨어는 게임 성능 평가에서 현대 시스템 환경을 사용하여 싱글 채널과 듀얼 채널 구성을 테스트해 본 결과 눈에 띄는 차이는 없었다고 하였다.[1]
트리플 채널
DDR3 트리플 채널 구조는 인텔 코어 i7-900 시리즈에 사용된다. LGA 1366 플랫폼은 DDR3 트리플 채널(보통 1333, 1600 MHz)을 지원하지만 일부 메인보드에서는 더 높은 클럭의 속도로 구동할 수 있다.
