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RAD750
생산	2001년
최대 CPU 클럭 속도	110 MHz GHz ~ 200 MHz GHz
공정	250 nm ~ 150 nm
마이크로아키텍처	파워PC v.1.1
코어	1

RAD750은 방사능에 견디게 제작한 싱글 보드 컴퓨터로, BAE Systems Electronics, Intelligence & Support에서 생산한다.^[1] RAD6000 다음으로 나온 RAD750은 이온화 방사선 환경하에 있는 인공위성과 우주선들에 사용된다.^[2] RAD750은 2001년에 처음 출시되었으며, 2005년 최초의 유닛이 우주로 발사되었다.^[1]^[3]

RAD750에는 1천 4십만의 트랜지스터가 집적되어 있으며, 이는 RAD 6000(110만)보다 더 많이 집적된 것이다.^[3] RAD750은 250 혹은 150 nm 공정을 거쳐서 만들어지며, 다이 크기는 130mm²이다.^[1] 클럭 속도는 110에서 200 Mhz이며, 266 MIPS 혹은 그 이상의 처리 능력을 발휘한다.^[1] 또한 L2 캐시가 있어 더 나은 성능을 보여준다.^[3] RAD750은 200,000에서 1,000,000 rad (2천에서 1만 그레이)를 버티며, -55 °C부터 125°C 까지의 온도를 버텨내며 5와트의 전력을 소모한다.^[1]^[3] 기본 RAD750 싱글 보드 시스템 (CPU와 메인보드)는 100,000 라드 (1천 그레이), -55°C부터 70°C를 버텨내며, 10와트의 전력을 소비한다.^[3]

RAD750은 PowerPC 750을 기반으로 하여 만들어졌으며,^[1] RAD750의 패키지와 로직 기능은 PowerPC 7xx 부류와 호환된다.^[3]

각주

↑ ^가 ^나 ^다 ^라 ^마 ^바 “RAD750 radiation-hardened PowerPC microprocessor”. BAE Systems. 2008년 7월 1일. 2013년 12월 24일에 원본 문서 (PDF)에서 보존된 문서. 2009년 4월 27일에 확인함.
↑ “RAD750”. Ball Aerospace & Technologies. 2007년 7월 11일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2009년 3월 8일에 확인함.
↑ ^가 ^나 ^다 ^라 ^마 ^바 L. Burchin (2002년 12월 4일), “Rad750 experience: The challenge of SEE hardening a high performance commercial processor MRQW 2002” (PDF), 《Microelectronics Reliability and Qualification Workshop》 (Manhattan Beach, CA: BAE Systems), 2009년 3월 26일에 원본 문서 (PDF)에서 보존된 문서, 2009년 4월 30일에 확인함