반도체 소자 제조
MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h

22 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 22 nm인 반도체를 다루는 반도체 제조 공정이다.

• 인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지.
• 인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰,
• 인텔 B365 칩셋,

이 글은 공학에 관한 토막글입니다. 여러분의 지식으로 알차게 문서를 완성해 갑시다.