산화 인듐
이름
별칭
indium trioxide, indium sesquioxide
식별자
ChemSpider
ECHA InfoCard
100.013.813
UNII
InChI=1S/2In.3O/q2*+3;3*-2
예 Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N
예 InChI=1/2In.3O/q2*+3;3*-2
Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL
[O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3]
성질
In2 O3
몰 질량
277.64 g/mol
겉보기
yellowish green odorless crystals
밀도
7.179 g/cm3
녹는점
1,910 °C (3,470 °F; 2,180 K)
insoluble
띠간격
~3 eV (300 K)
−56.0·10−6 cm3 /mol
구조
Cubic, space group Ia3 No. 206, cI80 , a = 1.0117(1) nm, Z = 16[ 1]
위험
not listed
NFPA 704 (파이어 다이아몬드)
달리 명시된 경우를 제외하면,
표준상태 (25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
산화 인듐 (Indium(III) oxide, In2 O3 )은 화합물로 인듐 의 양향성 산화물 로, 큐빅 결정을 형성한다.
인듐 산화물은 전지 , 박막 , 핫미러(가시 광성은 투과하는 적외선 반사경), 광학 코팅 등에 사용된다.
이산화주석과 함께 산화인듐은 인듐-주석 산화물(ITO )을 형성하는데, 투명 전도 코팅에 주로 사용된다.
산화 인듐은 n형 반도체 로 집적회로의 저항으로 사용된다.
박막은 반응성 스퍼터 방법으로 제조된다.
같이 보기
각주
↑ Marezio, M. (1966). “Refinement of the crystal structure of In2 O3 at two wavelengths”. 《Acta Crystallographica》 20 (6): 723–728. doi :10.1107/S0365110X66001749 .