비소화 갈륨
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GaAs wafer of (100) orientation
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이름
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우선명 (PIN)
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식별자
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ChemSpider
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ECHA InfoCard
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100.013.741
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EC 번호
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MeSH
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gallium+arsenide
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RTECS 번호
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UNII
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UN 번호
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1557
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InChI=1S/AsH3.Ga.3H/h1H3;;;; 아니오Key: SHVQQKYXGUBHBI-UHFFFAOYSA-N 아니오
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성질
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GaAs
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몰 질량
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144.645 g/mol[1]
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겉보기
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Gray crystals[1]
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냄새
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garlic-like when moistened
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밀도
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5.3176 g/cm3[1]
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녹는점
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1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)[1]
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insoluble
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용해도
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soluble in HCl insoluble in 에탄올, 메탄올, 아세톤
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띠간격
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1.441 eV (at 300 K)[2]
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전자 이동도
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9000 cm2/(V·s) (at 300 K)[2]
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-16.2×10^-6 cgs[3]
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열전도율
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0.56 W/(cm·K) (at 300 K)[4]
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3.3[3]
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구조[4]
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Zinc blende
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T2d-F-43m
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a = 565.315 pm
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Tetrahedral
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Linear
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위험
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물질 안전 보건 자료
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External MSDS
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GHS 그림문자
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신호어
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위험
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H350, H372, H360F
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P261, P273, P301+310, P311, P501
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NFPA 704 (파이어 다이아몬드)
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관련 화합물
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질화 갈륨 Gallium phosphide Gallium antimonide
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달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
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비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다.
GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다.[5]
1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다.[6]
갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다.[7] 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다.[8]
아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.[9]
같이 보기
각주
- ↑ 가 나 다 라 Haynes, p. 4.64
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.90
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.86
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.81
- ↑ 2010년 인공위성에 국산 웨이퍼 이용한 태양전지 설치된다, 전자신문, 2009.07.23.
- ↑ [알아봅시다] GaAs(갈륨비소) 반도체, 디지털타임스, 2008.09.17.
- ↑ 샤프, 최고 효율 '태양전지' 개발, 전자신문, 2006-11-07
- ↑ [부품소재, 우리도 할 수 있다] (4) 네오세미테크 … 갈륨비소 반도체 국산화, 한국경제, 2006-05-03
- ↑ 포브스, "제2의 애플, 잡스는 계속 나올것", 파이낸셜뉴스, 2011.10.16.
외부 링크
- 위키미디어 공용에 비소화 갈륨 관련 미디어 분류가 있습니다.