PROFILPELAJAR.COM

	Tellurure de bismuth(III)
	; Structure cristalline du tellurure de bismuth; (les atomes de bismuth sont en violet)
Identification
No CAS	1304-82-1
No ECHA	100.013.760
No CE	215-135-2
PubChem	24884204 (Bi4Te6)
SMILES
InChI
Apparence	poudre grise
Propriétés chimiques
Formule	Bi2Te3 [Isomères];
Masse molaire	800,76 ± 0,09 g/mol ; Bi 52,2 %, Te 47,81 %,
Propriétés physiques
T° fusion	573 °C
Masse volumique	7,642 g·cm-3
Précautions
SGH
	; AttentionH302, H312, H315, H319, H332, H335, P261, P280 et P305+P351+P338
Composés apparentés
Autres cations	Tellurure d'arsenic; Tellurure d'antimoine
Autres anions	Oxyde de bismuth(III); Sulfure de bismuth(III); Séléniure de bismuth
	Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
	modifier

Le tellurure de bismuth(III), ou plus simplement tellurure de bismuth, est un composé chimique de formule Bi₂Te₃, existant également sous forme d'anions Bi₄Te₆⁻ dans des alliages tels que le CsBi₄Te₆^[3]^,^[4]^,^[5].

Il s'agit d'une poudre grise cristallisée semiconductrice qui présente un fort effet de refroidissement thermoélectrique (effet Peltier).

Les cristaux sont aisément clivables le long de l'axe trigonal car les atomes de tellure ne sont maintenus ensemble que par des liaisons de van der Waals, de sorte que les applications à base de tellurure de bismuth nécessitent l'emploi de matériaux multicristallins. De plus, le coefficient Seebeck du Bi₂Te₃ devient négligeable à température ambiante, de sorte que les matériaux utilisés pour la production d'électricité à température ambiante doivent être des alliages de bismuth, d'antimoine, de tellure et de sélénium.

Articles connexes

Isolant topologique

Notes et références

↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
↑ SIGMA-ALDRICH
↑ (en) Duck-Young Chung, Tim Hogan, Paul Brazis, Melissa Rocci-Lane, Carl Kannewurf, Marina Bastea, Ctirad Uher et Mercouri G. Kanatzidis, « CsBi₄Te₆: A High-Performance Thermoelectric Material for Low-Temperature Applications », Science, vol. 287, n^o 5455,‎ 11 février 2000, p. 1024-1027 (ISSN 1095-9203, lire en ligne) DOI 10.1126/science.287.5455.1024
↑ (en) P. Larson, S. D. Mahanti, D.-Y. Chung et M. G. Kanatzidis, « Electronic structure of CsBi₄Te₆: A high-performance thermoelectric at low temperatures », Physical Review B, vol. 65, n^o 4,‎ 2002, p. 045205-045209 (lire en ligne) DOI 10.1103/PhysRevB.65.045205
↑ (en) W. Luo, J. Souza de Almeida, J.M. Osorio-Guillen et R. Ahuja, « Electronic structure of a thermoelectric material: CsBi₄Te₆ », Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 69, n^o 9,‎ septembre 2008, p. 2274-2276 (lire en ligne) DOI 10.1016/j.jpcs.2008.04.010