ChangXin Memory Technologies
Rechtsform	Aktiengesellschaft; teilweise in Staatsbesitz
Gründung	Mai 2016
Sitz	Hefei, Anhui, China Volksrepublik Volksrepublik China
Leitung	Zhu Yiming (Vorsitzender)
Mitarbeiterzahl	3.000 (2019)[1]
Branche	Halbleiterindustrie
Website	https://www.cxmt.com/

ChangXin Memory Technologies (CXMT; chinesisch 长鑫存储技术有限公司, Pinyin Chángxīn Cúnchú Jìshù Yǒuxiàn Gōngsī) ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei in der Provinz Anhui. Das Unternehmen, das zuvor unter anderem als Innotron Memory, Hefei Chang Xin und Hefei Rui-li Integrated Circuit Manufacturing firmierte, ist auf die Produktion von DRAM-Speicher spezialisiert.^[1]

Im Jahr 2020 stellte ChangXin LPDDR4- und DDR4-Speicher in einem 19-nm-Fertigungsverfahren her. Die Produktionskapazität belief sich damals auf 40.000 Wafer im Monat.^[2] Bis Ende 2025 stieg die Produktion auf 720.000 Wafer je Quartal.^[3] Im Jahr 2026 war CXMT der größte DRAM-Hersteller Chinas und der viertgrößte weltweit.^[4]

Im Jahr 2025 stellte das Unternehmen erstmals DDR5-DRAM vor und bereitete einen Börsengang in Shanghai vor, mit dessen Erlös die Produktionsanlagen modernisiert sowie die Erforschung und Entwicklung fortgeschrittener DRAM-Technologien finanziert werden soll.^[5] Seit dem 27. Juli 2026 ist das Unternehmen an der Börse von Shanghai notiert.^[6]

Gemeinsam mit Fujian Jinhua Integrated Circuit (JHICC) und Xi’an UniIC Semiconductors gehörte Innotron zu einer Gruppe chinesischer Halbleiterfabriken, die 2016 gegründet wurden, um mit den weltweit führenden Herstellern von Computerspeichern zu konkurrieren und dabei staatliche Unterstützung erhielten.^[7][8][9]

Im Jahr 2017 wurde ein Investitionsvorhaben im Umfang von 7,2 Milliarden US-Dollar zum Bau einer Fabrik angekündigt, die monatlich bis zu 125.000 Wafer im 12-Zoll- beziehungsweise 300-mm-Format produzieren sollte. Die Fabrik von Innotron wurde Mitte 2017 fertiggestellt.^[8] Ende desselben Jahres begann die Installation der Produktionsanlagen. Der Probebetrieb und die Massenproduktion waren für Ende 2018 beziehungsweise Anfang 2019 vorgesehen.^[10][11] Im Jahr 2018 soll der Vorstandsvorsitzende Zhu Yiming den niederländischen Halbleiterausrüster ASML besucht haben, um über den Kauf von Anlagen zu verhandeln.^[11]

Ursprünglich wurde angenommen, dass Innotron einen LPDDR4-Speicher mit einer Kapazität von 8 GB als erstes Produkt ausgewählt hatte. Analysten sahen damals mögliche Patentstreitigkeiten und Probleme mit geistigem Eigentum als Hindernisse für den Wettbewerb mit den etablierten Speicherherstellern an.^[8] Mitte 2018 soll die Testproduktion von 8-GB-LPDDR4-Speichern im 19-nm-Verfahren begonnen haben.^[12] Die anfängliche Kapazität von Innotron betrug ungefähr 20.000 Wafer im Monat und war damit im Vergleich zur weltweiten Speicherindustrie gering.^[7]

Im Jahr 2019 änderte Innotron seinen Namen in ChangXin Memory Technologies. Berichten zufolge nahm das Unternehmen Änderungen an seinen Speicherentwürfen vor, um das Risiko möglicher Technologiesanktionen im Zusammenhang mit dem Handelskonflikt zwischen den Vereinigten Staaten und der Volksrepublik China zu verringern.^[13] Im Dezember 2019 erklärte das Unternehmen gegenüber EE Times, dass seine erste Fabrik die Produktion aufgenommen habe und monatlich 20.000 Wafer verarbeite. Produziert wurden LPDDR4- und DDR4-DRAM-Chips mit einer Kapazität von 8 GB im 19-nm-Verfahren.^[1]

Im ersten Quartal 2025 entfielen Berichten zufolge rund sechs Prozent der weltweiten DRAM-Produktion auf CXMT. Das Unternehmen strebte an, diesen Anteil bis zum vierten Quartal 2025 auf zehn Prozent zu erhöhen.^[14] Anfang 2025 begann CXMT mit dem Verkauf von DDR5-Speichern.^[15]

Im Börsenprospekt von 2026 wurde die Emittentin als ChangXin Technology Group Co., Ltd. bezeichnet, die im Englischen auch unter dem Namen CXMT Corporation auftritt. Nach Angaben des Prospekts verfügte das Unternehmen nicht über einen beherrschenden Aktionär, jedoch verfügen staatsnahe Akteure über einen bedeutenden Einfluss. Als fünf unmittelbare Anteilseigner mit Beteiligungen von jeweils mehr als fünf Prozent wurden Qinghui Jidian mit 21,67 Prozent, ChangXin Integrated mit 11,71 Prozent, die zweite Phase des China Integrated Circuit Industry Investment Fund mit 8,73 Prozent, Hefei Jixin mit 8,37 Prozent und Anhui Investment mit 7,91 Prozent genannt.^[16] Nach Angaben von Reuters hielten mit der Stadtregierung von Hefei verbundene Investoren zusammen 36,8 Prozent des Unternehmens.^[4][16]

Reuters berichtete im Dezember 2025, dass CXMT durch die Ausgabe von 10,6 Milliarden Aktien in Shanghai insgesamt 29,5 Milliarden Yuan einnehmen wollte.^[5] Der Prospekt beschrieb die geplante Transaktion als Ausgabe gewöhnlicher Renminbi-Aktien am STAR Market der Shanghai Stock Exchange. Der öffentlich angebotene Anteil sollte vor einer möglichen Mehrzuteilungsoption mindestens zehn Prozent des Aktienkapitals nach dem Börsengang ausmachen.^[16] Im Juni 2026 genehmigte die China Securities Regulatory Commission den Börsengang.^[17] Diese erfolgte am 27. Juli 2026, wobei der Aktienkurs des Unternehmens sich am ersten Handelstag verfünffachte, wodurch CXMT zum wertvollsten chinesischen Unternehmen aufstieg.^[18][19]

Im Jahr 2026 war CXMT der größte DRAM-Hersteller Chinas und der viertgrößte weltweit.^[4] Reuters berichtete im Dezember 2025, dass das Unternehmen drei DRAM-Fabriken für 12-Zoll-Wafer in Peking und Hefei betrieb. Laut dem von Reuters zitierten Börsenprospekt hatte CXMT vier Generationen eigener DRAM-Technologien entwickelt und im zweiten Quartal 2025 einen Anteil von vier Prozent am weltweiten DRAM-Markt erreicht. Auf Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology entfielen zusammen mehr als 90 Prozent des Marktes.^[5]

Auf seiner Website führt CXMT DDR5-Speicherchips und DDR5-Speichermodule, LPDDR5- und LPDDR5X-Produkte, DDR4-Speicherchips und DDR4-Speichermodule sowie LPDDR4X-Produkte auf.^[20] Reuters berichtete, dass das Unternehmen im November 2025 seine neuesten DDR5-DRAM-Chips vorgestellt habe. Die Erlöse aus dem geplanten Börsengang sollten zur Modernisierung der Produktionslinien, zur Entwicklung fortgeschrittener DRAM-Technologien und zur Erweiterung der Produktpalette eingesetzt werden.^[5]

Das Unternehmen investierte außerdem in High Bandwidth Memory (HBM), eine spezialisierte Form von DRAM, die zusammen mit Prozessoren für Anwendungen der künstlichen Intelligenz eingesetzt wird. CXMT plante, bis Ende 2026 die Produktion in einer Anlage für die nachgelagerte Verpackung und Montage von HBM-Chips in Shanghai aufzunehmen.^[5]

Im Mai 2026 berichtete Reuters unter Berufung auf einen aktualisierten Börsenprospekt, dass CXMT für das erste Halbjahr 2026 einen Umsatz zwischen 110 und 120 Milliarden Yuan erwartete. Im ersten Quartal war der Umsatz gegenüber dem Vorjahreszeitraum um mehr als 700 Prozent auf 50,8 Milliarden Yuan gestiegen. Das Unternehmen führte den Anstieg auf höhere DRAM-Preise, eine ausgeweitete Produktion und eine verbesserte Zusammensetzung seiner Produktpalette zurück.^[21]

CXMT wurde mit mehreren mutmaßlichen Fällen des Diebstahls geistigen Eigentums in Verbindung gebracht. Im Jahr 2023 wurden zehn ehemalige Mitarbeiter von Samsung festgenommen, denen vorgeworfen wurde, Geschäftsgeheimnisse des Unternehmens entwendet zu haben. Die Entwicklung der betroffenen Technologie hatte Samsung nach Medienangaben innerhalb von fünf Jahren mehr als eine Milliarde US-Dollar gekostet. Das 10-nm-Verfahren von Samsung war zu diesem Zeitpunkt das einzige Verfahren, mit dem DRAM-Chips der 10-nm-Klasse in Massenproduktion hergestellt wurden. Zu den Beschuldigten gehörte ein früherer Samsung-Manager, der später bei CXMT die Leitung der Entwicklungsabteilung übernommen hatte. Die entwendeten Geschäftsgeheimnisse sollen CXMT ermöglicht haben, zeit- und kostenintensive Entwicklungsschritte zu überspringen.^[22]

In voneinander getrennten Fällen wurden zudem zwei Ingenieure von SK Hynix festgenommen. Einer von ihnen wurde zu einer Freiheitsstrafe von 18 Monaten verurteilt, nachdem er versucht haben soll, Geschäftsgeheimnisse an Huawei zu verkaufen. Der andere wurde verdächtigt, Kenntnisse über HBM-Fertigungsverfahren weitergeben zu wollen, die er während seiner Tätigkeit bei SK Hynix erlangt hatte.^[22]

Im Jahr 2022 untersagte der James M. Inhofe National Defense Authorization Act for Fiscal Year 2023 den Bundesbehörden der Vereinigten Staaten den Kauf und die Verwendung von Chips des Unternehmens CXMT.^[23] Im März 2024 berichtete Bloomberg News, dass das dem Handelsministerium der Vereinigten Staaten unterstehende Bureau of Industry and Security mögliche Sanktionen gegen CXMT prüfe.^[24] Im Juni 2026 setzte das Verteidigungsministerium der Vereinigten Staaten CXMT auf eine Liste chinesischer Unternehmen, denen Verbindungen zum chinesischen Militär zugeschrieben werden.^[25]

• englische Website