Memòria FeRAM

Fig.1 Estructura FeRAM

La Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació). La FeRAM és una de les opcions a memòria RAM no volàtil a l'hora de substituir la memòria flaix.[1][2]

Propietats de FeRAM

Avantatges respecte la memòria flaix:

  • Menor consum d'energia.
  • Cicles d'escriptura més ràpids.
  • Major nombre de cicles d'escriptura (al voltant de 10¹⁰ a 10¹⁴ cicles).
  • Major retenció de dades (més de 10 anys a +85 °C).

Desavantatges respecte la memòria flaix:

  • Menor densitat de quantitat memòria per unitat de superfície.
  • Major cost.

Comparativa de memòries

Segons : [1]

Paràmetre FRAM SRAM E2PROM Flaix
No volàtil Sí No Sí Sí
Cicles d'escriptura 10¹⁰ sense límit ~500 000 10 000
Velocitat d'escriptura per 13 KB 10ms <10ms 2s 1s
Consum energia en µA/MHz 80 <60 fins a 10 mA 260
Adreçable byte a byte Sí Sí No Sí

Fabricants de memòria FeRAM

Segons :[3]

Vegeu també

  • nano-RAM : RAM amb nanotubs de carboni.
  • SRAM : RAM estàtica.
  • Flaix : memòria flaix.
  • E2PROM : memòria esborrable elèctricament.
  • ReRAM : memòria RAM resistiva.
  • DRAM: memòria dinàmica
  • MRAM: memòria RAM magnetoresistiva

Referències

  1. ↑ 1,0 1,1 «What is FRAM | Ferroelectric Random Access Memory FeRAM | Tutorial» (en anglès). [Consulta: 23 gener 2017].
  2. ↑ «Memòria FeRAM» (en anglès). http://web.eecs.umich.ed.+[Consulta: 23 gener 2017].
  3. ↑ Gautschi, Rainbow WEB Production Switzerland - Arnold. «Sherlab.com - The #1 Linkpage to Manufacturers of Electronic Parts and Semiconductors». [Consulta: 23 gener 2017].