Hiroshi Amano

Plantilla:Infotaula personaHiroshi Amano

Modifica el valor a Wikidata
Nom original(ja) 天野浩 Modifica el valor a Wikidata
Biografia
Naixement11 setembre 1960 Modifica el valor a Wikidata (64 anys)
Hamamatsu (Japó) Modifica el valor a Wikidata
FormacióUniversitat de Nagoya (–1988)
Shizuoka Prefectural Hamamatsu Nishi High School (en) Tradueix
Hamamatsu City Shijimizuka Junior High School (en) Tradueix Modifica el valor a Wikidata
Director de tesiIsamu Akasaki Modifica el valor a Wikidata
Activitat
Camp de treballFísic Modifica el valor a Wikidata
Ocupaciófísic, professor d'universitat, enginyer Modifica el valor a Wikidata
OcupadorUniversitat de Nagoya, catedràtic (2010–2015)
Universitat de Meijo (2002–2010)
Universitat de Meijo (1992–1998)
Universitat de Nagoya, professor agregat (1988–1992) Modifica el valor a Wikidata
ProfessorsIsamu Akasaki Modifica el valor a Wikidata
Premis

Modifica el valor a Wikidata

Hiroshi Amano (天野 浩, Amano Hiroshi, 11 de setembre de 1960) és un físic, enginyer i inventor japonès especialitzat en el camp de la tecnologia de semiconductors. Per la seva tasca, va ser guardonat amb el Premi Nobel de Física 2014 juntament amb Isamu Akasaki i Shuji Nakamura per "la invenció de díodes eficaços blaus que emeten llum que ha permès estalviar fonts de llum blanques brillants i estalvi d'energia".[1]

Educació

Amano va néixer a Hamamatsu, Japó, l'11 de setembre de 1960. Va obtenir el títol de llicenciat, màster i doctor en enginyeria el 1983, 1985 i 1989, respectivament, a la Universitat de Nagoya.

A l'escola elemental, jugava a futbol com a porter i a softball com a catcher. També era un apassionat de la ràdioafició i, tot i que no li agradava estudiar, era bo en matemàtiques. Quan va entrar a l'escola secundària, va començar a estudiar seriosament i es va convertir en un bom alumne estudiant a les nits.

Trajectòria

Del 1988 al 1992, va ser investigador associat a la Universitat de Nagoya. El 1992 es va traslladar a la universitat Meijo, on va ser professor ajudant, associat i des del 2002 titular. El 2010 es va traslladar a l'Escola Superior d'Enginyeria de la Universitat de Nagoya com a professor.

Es va incorporar al grup del professor Isamu Akasaki el 1982 com a estudiant de pregrau. Des d'aleshores, ha estat investigant sobre el creixement, la caracterització i les aplicacions de dispositius dels semiconductors de nitrurs del grup III, coneguts com a materials utilitzats en díodes blaus que emeten llum. El 1985 va desenvolupar un sistema a baixa temperatura per al creixement de pel·lícules de semiconductors de nitrur del grup III en un substrat de safir, el que va provocar la realització de diodes emissors de llum i diodes làser de semiconductor basats en el grup III-nitrur. El 1989, va aconseguir fer créixer un diode emissor de llum UV / blau tipus GaN i fabricar un tipus d'unió del GaN basat amb UV/llum blava amb emissions de diode per primera vegada al món.

El seu laboratori va rebre el nom de "castell sense nit" perquè sempre hi havia gent treballant.[2] Segons els seus estudiants al laboratori, té una personalitat temperada optimista i mai no s'enfada.[3][4]

Referències