L'antimonur de gal·li(III) és un compost químic d'antimoni i gal·li de fórmula GaSb. És un sòlid de densitat 5,6 g/cm³ a temperatura ambient que fon a 712 oC. La seva estructura cristal·lina és la de la blenda de zinc o esfalerita. Té propietats semiconductores, amb una banda prohibida de 0,726 eV a 300 K, que correspon a l'energia d'un fotó de radiació infraroja de longitud d'ona 6,2 μm.
Història
L'antimonur de gal·li(III) fou sintetitzat per primer cop el 1926 per part del geoquímic noruec Victor Moritz Goldschmidt (1888-1947), que en determinà també la seva constant de cel·la.[1] D'altres investigadors milloraren aquest valor i en determinaren el diagrama de fases.[2]
Aplicacions
Les aplicacions de l'antimonur de gal·li(III) es basen en les seves propietats com a semiconductor del tipus III-V, això és amb un element del grup III, el Ga, i un del grup V, el Sb. Així hom l'empra en els detectors de radiació infraroja, en LEDs infrarojos, en làsers i transistors i en sistemes termofotovoltàics.[2]
Referències
- ↑ Goldschmidt, V.M. «Untersuchungen über Eigenschaften und den Bau von Kristallen». Skr. Akad. [Oslo], 8, 1926.
- ↑ 2,0 2,1 Dutta, P.S.; Bhat, H.L.; Kumar, V. «The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material». J. Appl. Phys., 81, 9, 01-05-1997, pàg. 5821-5870.[Enllaç no actiu]
