Quan es substitueix un àtom de silici a la xarxa cristal·lina, els tres electrons de valència del bor formen enllaços covalents amb tres dels veïns de Si però l'enllaç amb el quart roman insatisfet. L'acceptor inicialment electroneutre es carrega negativament (ionitzat).[2] L'enllaç insatisfet atrau electrons dels enllaços veïns. A temperatura ambient, un electró d'un enllaç veí pot saltar per reparar l'enllaç insatisfet deixant així un forat d'electrons, que és un lloc on un electró és deficient. El forat, en estar carregat positivament, atreu un altre electró d'un enllaç veí per reparar aquest enllaç insatisfet. Aquest procés semblant a una cadena fa que el forat es mogui al voltant del cristall com a portador de càrrega. Aquest procés es pot sostenir en un corrent elèctric útil en circuits electrònics.[3]
