14 nanòmetres

Fig.1 Exemple de tecnologia de 14 nm : Samsung Exynos
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1989
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2020

14 nanòmetres (14 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 14 nm. És una millora de la tecnologia de 22 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 25 àtoms de llargada.[1][2][3]

Els transistors d'aquesta litografia estan preparats per dispositius que necessiten processadors de baix consum i com que són més petits, permeten posar més components dins el processador, com més nuclis (processadors multi-core) o diferents nivells de memòries caché i de més capacitat.[4]

Història

  • El 2014, Intel treu l'arquitectura Broadwell (5a generació de processadors Intel Core) i llença la família Core M.
  • El 2015, Intel treu l'arquitectura Skylake (6a generació de processadors Intel Core).
  • El 2015, Samsung treu la família Exynos.
  • El 2016, Nvidia introdueix la sèrie GeForce 10.
  • El 2016, Intel treu l'arquitectura Kaby Lake (7a generació de processadors Intel Core).
  • El 2016, AMD allibera l'arquitectura Radeon RX 400.
  • El 2017, AMD llença l'arquitectura Zen, amb els seus processadors Ryzen, i l'arquitectura Vega per processadors gràfics.
  • El 2017, Intel treu l'arquitectura Coffe Lake (8a generació de processadors Intel Core).

Tecnologia emprada

Processadors

Fabricant Data CPU Notes
Intel 2014 Core M
Intel 2015 5a generació de Intel Core i3, i5, i7
Samsung 2015 Exynos
Intel 2015-2016 6a generació de Intel Core i3, i5, i7
AMD 2016 Radeon RX 400, Ryzen
Intel 2017 7a generació de Intel Core i3, i5, i7
AMD 2017 Processadors Ryzen, targetes gràfiques amb arquitectura Vega
Intel 2017 8a generació de Intel Core i3, i5, i7
Fig.1 Transistor FinFET
Fabricant Intel Samsung GlobalFoundries UMC IBM
Nom del procés P1272 (CPU) / P1273 (SoC) 14LPE, 14LPP, 14LPC, 14LPU 14LPP
Primera producció 2014 2015 2015 2017 2015
Transistor FinFET
Tipus Bulk SOI
Oblia 300mm
  Valor 22 nm Δ Valor 20 nm Δ Valor 20 nm Δ Valor 28 nm Δ Valor 22 nm Δ
Pas de Fin 42 nm 0.70x 48 nm N/A 48 nm N/A  ? nm N/A 42 nm N/A
Amplada de Fin 8 nm 1.00x 8 nm 8 nm  ? nm 10 nm
Alçada de Fin 42 nm 1.24x ~38 nm ~38 nm  ? nm 25 nm
Pas de contacte de porta 70 nm 0.78x 78 nm 1.22x 78 nm 1.22x  ? nm  ?x 80 nm 0.80x
Pas de connexió 52 nm 0.65x 64 nm 1.00x 64 nm 1.00x  ? nm  ?x 64 nm 0.80x
Cel·lula 1 bit de RAM (HD) 0.0588 µm² 0.54x 0.0806 µm²  ?x 0.0806 µm²  ?x  ? µm²  ?x 0.900 µm²
Cel·lula 1 bit de RAM (LP) 0.064 µm²  ?x 0.064 µm²  ?x  ? µm²  ?x 0.081 µm² 0.81x
Cel·lula 1 bit de DRAM  ? µm²  ?x 0.0174 µm² 0.67x

Referències

  1. ↑ «Intel® 14 nm Technology» (en anglès). Intel.com. [Consulta: 19 març 2017].
  2. ↑ «Process Technology - 14 nm | Samsung Semiconductor Global Website» (en anglès). www.samsung.com. [Consulta: 19 març 2017].
  3. ↑ priyanka «14LPP 14nm FinFET Technology» (en anglès). GLOBALFOUNDRIES, 12-10-2016. Arxivat de l'original el 2018-12-19 [Consulta: 18 desembre 2017]. Arxivat 2018-12-19 a Wayback Machine.
  4. ↑ «Intel® 14 nm Technology» (en anglès). [Consulta: 18 desembre 2017].

Vegeu també