تجرى عملية الأكسدة الحرارية عند درجات حرارة تتراوح بين 800 °س إلى 1200 °س، ويمكن أن تجرى إما باستخدام بخار الماء مرتفع النقاوة أو باستخدام الأكسجين الجزيئي.
يمكن أن يستقرأ معدل نمو طبقة ثنائي أكسيد السيليكون على رقاقة السيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف (Deal–Grove model).[2]